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[問題求助] [問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

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1#
發表於 2014-7-13 22:36:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位先進們
. o0 h% r+ ?8 p: p/ m& Z3 E                                                                                
. _" Q* A* u: N* w請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system
3 x8 M4 Z( ~2 v& t) P& u/ E                                                                                
+ d) y- ?. s$ G* C0 C2 [在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator",在文章的後面Table3+ O) y+ E; J" b# [, ?) E& Y: z4 {
                                                                                : T  d& k0 O5 Z& D4 Q0 j5 y
提到pass transistor 設計的尺寸W/L=40000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V3 p! q, X7 T  [: _
                                                                                
5 g0 e- R$ r2 ]6 ~以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體,發現至少需要Id=100uA" w8 R+ \9 p- L4 f" @& }
                                                                                
9 }( o' C' R2 Y- y8 `6 p3 ]以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小,還是我誤解他的意思,請各位先進指教一下0 ^% G# P( {5 C; m5 r) Z) A$ C
                                                                                
; H( U7 @6 Z" x* C- f# y感謝
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2#
發表於 2014-7-30 15:02:50 | 只看該作者
跟bias條件有關
* K# l, i% N. O6 S# A; {, wW/L=40000, Id=10uA, PMOS是bias在weak inversion1 Z( v" J0 H: [3 M
gm 本來就大
/ s& f' H7 m: g6 w- \3 O2 s4 z3 V  e7 \至於模擬的方式, PMOS source 接3V, drain 接2.8V
+ o9 P" o4 \6 p2 ~9 U+ A掃gate電壓看電流, 找Id=10uA下的gm
. V4 Q) }5 l( B) O" z2 }前提是你的spice model 有cover weak inversion (通常不太準~)
3#
發表於 2014-9-19 08:39:48 | 只看該作者
這幾年的cap-less LDO走向運用adaptive biasing or dynamic biasing的研究方向- J9 |5 Y" T  W3 L# F! ^
2007年那篇算是比較早期的作法了
2 P0 P1 {0 |# B0 N& K% u且如同jackrabbit所言,PMOS's size那麼大又要能有那麼高的gm,確實是要在weak inversion,而且,那也要看Foundry所提供的device model是否夠精準,我前陣子在作cap-less LDO時,就曾發現用SPICE model和用Spectre model跑出來的結果差異甚大6 M; ]8 |# C  z0 [
後來仔細追究,發現是
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
4#
發表於 2014-9-20 13:14:42 | 只看該作者
來看一看
/ q' K  X/ n4 N: K6 tcapless ldo真的需要考慮更多的是  補償  voltage drop. j- S' x0 {3 A7 w! W
傳統作法都是還會在layout有空間的地方塞一堆電容
/ X% F. N2 V6 ~3 ~( `比較新的作法本身是還沒試過  畢竟  公司要的是做出來的時間而不是讓你慢慢研究阿QQ
5#
發表於 2014-9-21 11:43:24 | 只看該作者
現在的cap-less LDO走的是low quiescent current的error amplifier
: e8 S! N) W2 n+ D) H5 W3 N( y$ E以前,error amplifier的quiescent current可能是20uA~40uA不等,但現在卻是要求要在低於10uA以下,甚至在某些condition下要在0.1uA下
) V+ J& X( A" _0 @2 h; l/ Y" _, D$ f! n& D; h, L
以前會覺得不合理,但,現在競爭對手都做出來了,相對的就會被要求朝此規格去設計,畢竟公司出錢請你,如果你又拿不出相對等的成績出來,想當然爾結果也可預想
. S0 z' A- l$ N5 {這是RD的宿命
2 r5 T0 Q# Q+ Y, D7 A- _, X, P8 C  d% W6 n
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
6#
發表於 2014-9-24 12:50:33 | 只看該作者
cap-less, low quiescent current 有時跟要能快速response output voltage
( ]* U" E; N  A& T! K# o* P5 xdrop 同時滿足, 直接想還挺困難, 上來看看是否各位大大有獨到見解+ s1 a( t. [) V
可以學習一下
8#
發表於 2015-8-29 21:29:55 | 只看該作者
又要馬兒好,又要馬兒不吃草,IC設計很多時候都要做『trade-off』。
9#
發表於 2015-9-19 13:11:07 | 只看該作者
最近有一些需求,需要用到capless ldo,來參予討論一下
10#
發表於 2016-6-25 22:51:24 | 只看該作者
感謝分享。我來研究研究一下
11#
發表於 2016-8-12 00:59:41 | 只看該作者
感謝大大們的討論
9 o8 i! n9 i' W( ^+ T% X0 e小弟來研究一下
12#
發表於 2016-9-20 10:36:22 | 只看該作者
最近正研讀這類電路,還不清楚設計考量
  d7 ~0 I* \- W6 Y8 |" c. i
13#
發表於 2016-12-6 16:19:12 | 只看該作者
! y* f6 a& R, w1 h0 T4 d/ n
Thanks for your sharing  It's a good reference for me.
14#
發表於 2017-2-20 16:49:40 | 只看該作者
感謝分享。A good topic to discussed.
15#
發表於 2017-2-20 16:51:52 | 只看該作者
大大見解獨到, Thank you
7 v9 ^$ f) M9 h2 }2 E( p7 e" k0 Z* e& f7 _: |
16#
發表於 2018-12-6 17:18:28 | 只看該作者
最近讀這篇也有一堆問題 4 R1 X, y1 f: r; M
極零點分析 和 電路的動作原理都有不清楚的地方
17#
發表於 2019-1-6 20:45:51 | 只看該作者
想看一下隱藏內容                     
18#
發表於 2020-8-6 11:19:22 | 只看該作者
  看下  是 發現如何 設計  capless  LDO
8 G' r" H/ u! G- m+ y; s; d  C' Q+ G5 H2 x/ r

' u4 r( l! T, H( f& J3 v) e9 |) q' l5 M' w' q8 D( i
20#
發表於 2021-2-5 14:27:40 | 只看該作者
想看一下隱藏內容;感謝分享;感謝參與討論,謝謝
* c9 U3 p* |  v8 T8 y9 _4 }1 k6 D) R
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