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[問題求助] TSMC 0.18um 電阻精準度問題

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1#
發表於 2011-1-8 16:09:52 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我最近剛接觸TSMC 0.18um製程,想在電路裡面製作一個較精確的電阻" \; a2 P2 t1 ~: X% H0 K
這個電阻是要用在高增益高頻寬轉阻放大器(TIA)當中當作resistive load使用,大小是數個kohm, v7 u7 f9 Z- z+ o

  a; P: D0 _8 U$ L目前查過製程文件資料,發現diff電阻的sheet resistance (Rsh) 的變異量似乎比poly電阻更小- Z2 M* s8 j9 r6 j& l
p+ poly w/i silicide Rsh變異約 30%  (7.x 正負 2.x)7 R  N% t6 D# M( w
p+ poly w/o silicide Rsh變異約 15%  (3xx 正負 50.x)
$ w# U( S6 k5 r8 In+ diff  w/o silicide Rsh變異小於 10%  (5x 正負 5.x)- A+ T/ |1 L. E/ ~

  c$ R; q# i+ [& ^4 e但是查了一下先前論壇上的文章,似乎是說poly電阻做的比diff電阻更精準??9 g! F8 n  a4 z8 @- S
可以請各位前輩說明一下嗎?. E+ S1 k0 u8 R: W2 [7 T
- x9 k. N9 A3 m& c% `0 ]0 S
另,如果想要使用這些電阻做為resistive load,是建議使用poly w/o silicide 還是 diff w/o silicide呢?3 p( x5 Y% m7 |$ |/ l9 s# Z
感謝回答。
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2#
發表於 2011-1-11 11:18:29 | 只看該作者
絕對阻值用diff
: v# ~& d- T6 j! X# O相對阻值用poly
" |' x2 B3 M: }! W面積考量用 p+diff or poly8 R; J3 b) E2 L/ }
溫度考量用poly& E9 J, k9 K4 K. T) y  X* b! |
poly 電壓考量用 p+
2 Q7 u# q6 C* Fdiff 電壓考量用 n+

評分

參與人數 2感謝 +2 Chipcoin +4 收起 理由
frank822 + 2 good information
semico_ljj + 2 + 2 不錯!

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3#
發表於 2011-1-11 15:48:37 | 只看該作者
回復 2# shangyi ' M* U# I/ ^$ g  t6 l  d" C
- C, K1 s% V& H: v
& ^) D8 `$ b6 _* C+ H6 h
    可以請大大開示一下嗎??
# l; j+ r3 M3 W0 k6 l這結果是怎麼來的?? 很有興趣想知道 : i) s2 v1 v4 z8 o; \+ \# c
關於製程我一俏不通。
4#
發表於 2011-1-12 21:40:58 | 只看該作者
还是需要大量时间来实践,才会有实际的感觉
5#
發表於 2011-1-12 21:41:04 | 只看該作者
还是需要大量时间来实践,才会有实际的感觉
6#
發表於 2011-11-2 11:17:56 | 只看該作者
shangyi大大所述很具有參考價值~% e# {5 c/ {0 P- _; Y& {: `
- h9 J7 r4 f0 i: K( q: q
謝謝分享~
7#
發表於 2012-2-18 11:57:27 | 只看該作者
感謝shangyi 大分享+ m1 [! X0 K; x( h  I/ |
獲益良多
8#
發表於 2012-3-13 13:18:04 | 只看該作者
感謝shangyi 大分享& ?0 b6 j" Y7 M* U, J: x( r
6 E1 z2 i# b" K: t獲益良多
9#
發表於 2012-4-11 23:29:01 | 只看該作者
自己翻書找找看制程工藝方面的解釋~~
10#
發表於 2012-4-19 11:12:17 | 只看該作者
我只能提供" z9 g% a7 W+ S9 ~% u! N
poly製程漂移大約是20%
5 G" }" F) S, V, m所以絕對值的話用poly要考慮清楚喔!
11#
發表於 2013-10-13 13:50:52 | 只看該作者
絕對阻值用diff
# J$ v! u) j, z相對阻值用poly+ m8 Z5 H% a; K6 Y: P3 i4 k
" z7 g- _, [1 V- D1 m3 e: d面積考量用 p+diff or poly& ]; @" l- t2 C* e/ o4 G2 b
% p9 ]- n% u4 [) P8 Y( C( B5 R溫度考量用poly
: w$ |$ b4 q* G$ i, lpoly 電壓考量用 p+5 L7 g  U$ s* u, r/ Z3 B: F. \0 y' m
diff 電壓考量用 n+0 T) i( w: L$ |9 q% R

6 _- w/ H" p- x! s  Z/ A請問這些考量是如何得知的?+ N/ E- b) @  r% s0 _* P4 L
很好奇& o8 c0 e* U/ G. W; Z
我家都是POLY
12#
發表於 2013-12-5 16:48:33 | 只看該作者
poly比較不會有實際運用的問題..* R3 y& A5 n) b) ?
diff和od阻值易受body的影響
13#
發表於 2021-7-31 18:17:37 | 只看該作者
謝謝分享謝謝分享謝謝分享
14#
發表於 2021-8-19 00:15:02 | 只看該作者
謝謝分享謝謝分享謝謝分享
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