transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu · 發表於 2012-6-21 15:43:29

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
跟tri-state(pad接在gate)
兩者，哪一個ESD的能力比較強
而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao · 發表於 2012-6-24 16:43:57

請問各位前輩~* x9 F k9 A9 N* l8 n5 ]& N/ y
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時8 `5 a5 c6 L7 K r: E
內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...& Q$ Y9 T0 a7 B& w7 y! S* ]. G
lupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927 · 發表於 2012-6-26 14:58:49

回復 2# andyjackcao

原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn · 發表於 2012-7-9 14:51:45

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao · 發表於 2012-8-21 21:50:54

回復 andyjackcao 0 a3 l! v) E) C7 M
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原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...6 ?; V+ U( }* @. h# i( W4 p
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

是这样的；
通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001 · 發表於 2014-9-22 22:33:31

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886 · 發表於 2022-9-16 11:46:57

相當專業的內容，感謝大大分享心得

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