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[問題求助] ADS設計LNA問題

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1#
發表於 2012-3-10 10:15:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 oscarf777xp 於 2012-3-10 10:17 AM 編輯
9 p7 q& q5 x. p: M, I$ V1 E" |
7 e+ S% f; ?: y9 z7 w各位先進大家好4 \9 d2 _, j) j% J; b. L
* e5 }; X% x4 R* @
小弟在網路上發現了一篇用ADS設計一5.2GHz的LNA實驗教學
9 @2 u6 z. D7 [
  C) b4 s. h7 N2 \& e3 K其中在畫電路圖時有些疑問想請教各位' S. h1 h- J" J7 s  s# K6 ]  d2 u
: D1 m$ g. e8 l9 o, A- N
01.# I( p# L2 E) ^* N8 M5 c& O
: G% M# Q7 L( S* I1 \/ W
架構圖如上,我有疑問的點在於模擬時為什麼要加上下面這一串東西呢?( v4 _: R1 F$ B% L9 u- |* }% v& o

* Z( c- a5 S: w. t1 |8 r, C! ~: \
02.第二個疑問的地方在於電阻的部分,如下圖所示2 @7 q2 B0 s$ d: U

- u, e4 o& l# M5 e# ?* j8 d% G4 Y1 z# O" m. _& C9 h
我照著教學中的圖選用0 O0 _$ c6 Y5 }! X1 u; {, T' \2 {

1 R& I2 D' V/ C) O6 `TSMC_CM018RF_RES_RF
/ K0 L8 o- _6 Q0 j5 r! kType=HRI P-Poly w/o silicide (1um<=W<=5um)(RF)5 e$ k6 m8 d7 j+ ^) ]
w=2 um
/ s" O5 u: h. \) c( Z; [% ]* wl=10 um' y! k6 G6 q4 k: E, K
R=5626.13 Ohm
: G3 u! v$ X2 J+ T5 D
# O# n& Y! P+ M# \但是ADS在設定l時不管我怎麼調整都沒辦法跟教學中的l一樣設定成10 um,不知道各位先進是否知道問題所在?9 T% `- ^" V3 R! \+ N' w, u
/ v5 l, L% a6 x! P. t- W- I
03.小弟目前是個研究生,全實驗室我是第一個要做RFIC的,所以想請問CIC所提供的T18 ADS Design kits,裡頭的原件分別代表什麼意思與使用的時機,翻了Design kits裏頭的檔案,發現居然沒有說明。
' {/ x; G4 h  V/ C/ G8 M
" c; x# c) l" C0 V9 U2 x以上是我目前的一些問題,希望能有先進可為我解惑,感謝!# y% A, z, ~8 ^' y: C4 P( J
+ \! X( ~  B. s+ |1 v' {
教學的檔案為附件

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2#
 樓主| 發表於 2012-3-14 16:45:48 | 只看該作者
沒人能替小弟我指點迷津嗎?
3#
發表於 2012-3-16 18:01:16 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
4#
發表於 2012-3-16 18:01:28 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
5#
發表於 2012-3-16 18:01:43 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
6#
發表於 2012-3-16 18:01:59 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
7#
發表於 2012-3-20 17:41:25 | 只看該作者
你的model是舊版的吧!!!( `6 q$ q6 c& ?
我的V8.1版,有註明
, ^; _) y, O* Q  |2 V" rType=HRI P-Polu w/o silicide (1um<=W<=5um)(2um<=L=<=6.8um)RF9 [' J0 G7 D% ~' E
最長只能用到6.8um而已。
8#
發表於 2012-3-20 17:43:40 | 只看該作者
試了一下,您可以調整一下,
% f) M! X$ v- W7 c4 q5 z. Q8 s; E改為W=1,L=4.77,
3 R- v$ M! G8 h% h# ^: @8 a會有最接近的值R=5628.28ohm。
, `" V8 w( z; t. Z" ~0 \" r: H也可以的。
9#
 樓主| 發表於 2012-3-20 17:49:41 | 只看該作者
哦,感謝二位回答!目前又遇到了另外一個問題+ X- \5 G6 O4 T8 x7 N3 \# }4 ^: q
: C1 A+ d3 h; ?5 C" ~3 E
使用T18的Design Kit電感的部分要如何計算值呢?是否有公式可以計算呢?
; n3 s! _( L3 f1 E  L
7 C2 t# ]( }/ n7 J# V我現在的方法是跑one port的S參數,然後用Z11看虛部,但是在DDS視窗打公式去計算電感plot出來的資料都會出現invalid說
! y; e. V$ M+ X$ s8 I/ W9 M) u3 y5 K/ f4 x
我的公式是這樣打的:
4 M$ N, ?( `6 t, i' k/ AL=imag(Z11)/(2*PI*freq)
10#
發表於 2012-3-22 14:28:02 | 只看該作者
貼給你:  x# C2 t7 Y5 ?/ V, I
Lin1=imag(Z(1,1))/(2*PI*freq)*1E+9) C( a) e2 Q& g- V( Y7 O
你應該還會用到Q值的計算:
0 [) H& o9 i/ H! `: D3 CQ1=imag(Z(1,1))/real(Z(1,1))
9 @8 q) b, s1 G$ B; R
/ B: Z% U9 @9 q9 B$ S其中,因為會用到Z參數,
' K+ l9 \$ A5 B$ o記得還要到S parameter的instant中==>到parameters的分頁,+ V1 L( i! h9 J' R6 g0 P
把z-parematers打勾。
( o4 p8 s+ s# |$ l以上,就可以了。. `0 |) \! ~( n/ g
請享用~~
11#
 樓主| 發表於 2012-3-22 16:27:05 | 只看該作者
感謝rayjay大!!
. Z! o% L$ o0 P$ s/ C
% P: [& B" d1 u/ z) Q不好意思想再請教個問題,在ADS中我要如何去看CMOS的Cgs和gm呢?
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