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[問題求助] ADS設計LNA問題

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1#
發表於 2012-3-10 10:15:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 oscarf777xp 於 2012-3-10 10:17 AM 編輯
  j$ I7 n( h4 k' V0 V( I2 O8 r. i, f, Y8 G3 Z% _. \
各位先進大家好( |+ D! R" k% _: m$ Q

, p. t+ ?: F! ?. G2 Q3 F6 O+ n小弟在網路上發現了一篇用ADS設計一5.2GHz的LNA實驗教學
' |6 M7 n+ K5 r: f
3 [/ r4 v+ v5 n5 ]- J5 N其中在畫電路圖時有些疑問想請教各位
/ i* s' q* I) _. h4 H4 }. v* p3 {" p3 |8 E6 }5 Y
01.% n% E& t' y% _( m; x% |

9 F, y6 s$ ]; r5 C架構圖如上,我有疑問的點在於模擬時為什麼要加上下面這一串東西呢?
" I' H- o( [' m' D
2 x% [3 ~: Q) A
, X* N% h5 d/ B+ ]! m. {02.第二個疑問的地方在於電阻的部分,如下圖所示/ ^8 M# D: H, Q5 w- E* M8 p  @
1 s9 A5 S( R# r! [9 I) S/ k, _

2 F, @7 Q; |+ b( w: Z# m/ V我照著教學中的圖選用) Q/ G7 s. k2 P1 i! s6 l) s
2 X1 S7 r3 V( m0 v4 u. I4 T' A1 Z4 L
TSMC_CM018RF_RES_RF
4 j, `, h3 D6 R6 Z, lType=HRI P-Poly w/o silicide (1um<=W<=5um)(RF)) V8 @! ?* P& ?) K- N: i8 h. }
w=2 um* v9 t/ z! g+ F, F" C- T# s
l=10 um
2 t3 ]2 o" v7 m+ P  \R=5626.13 Ohm8 L+ O& a7 q9 ]% T$ j
$ Y' `$ ~1 M1 K+ ]9 G2 W) D
但是ADS在設定l時不管我怎麼調整都沒辦法跟教學中的l一樣設定成10 um,不知道各位先進是否知道問題所在?9 Z, Z+ j+ b( W8 t* D0 C. N

' R$ w+ p* ~* V7 A) v; V& ?; A7 m03.小弟目前是個研究生,全實驗室我是第一個要做RFIC的,所以想請問CIC所提供的T18 ADS Design kits,裡頭的原件分別代表什麼意思與使用的時機,翻了Design kits裏頭的檔案,發現居然沒有說明。
- K4 f8 [9 E, x8 q
1 J8 h7 A3 J7 z% l7 K7 k以上是我目前的一些問題,希望能有先進可為我解惑,感謝!
8 L+ a! o0 h& R) O; m" E7 @5 h# `+ ~( |6 P8 d+ T  E# w6 K( y# @1 b
教學的檔案為附件

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2#
 樓主| 發表於 2012-3-14 16:45:48 | 只看該作者
沒人能替小弟我指點迷津嗎?
3#
發表於 2012-3-16 18:01:16 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
4#
發表於 2012-3-16 18:01:28 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
5#
發表於 2012-3-16 18:01:43 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
6#
發表於 2012-3-16 18:01:59 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
7#
發表於 2012-3-20 17:41:25 | 只看該作者
你的model是舊版的吧!!!) D3 t- B/ }  S& z
我的V8.1版,有註明
# ^, D5 \# j5 [7 C9 x+ H" \& j2 y. qType=HRI P-Polu w/o silicide (1um<=W<=5um)(2um<=L=<=6.8um)RF
5 h; c$ E( c5 k7 E& Y最長只能用到6.8um而已。
8#
發表於 2012-3-20 17:43:40 | 只看該作者
試了一下,您可以調整一下,
$ c7 E7 \+ A! o, v) r改為W=1,L=4.77,) j0 p9 S& e" i3 K" D; X* j3 l
會有最接近的值R=5628.28ohm。5 s5 V- a9 o' k9 M8 j$ a
也可以的。
9#
 樓主| 發表於 2012-3-20 17:49:41 | 只看該作者
哦,感謝二位回答!目前又遇到了另外一個問題
# F' N  t. H% [- {
9 @5 r8 i# U" M  ~7 h% U- H使用T18的Design Kit電感的部分要如何計算值呢?是否有公式可以計算呢?
! _1 V* e7 o( _) _/ X, Y, ]6 w) }% @# O7 S
我現在的方法是跑one port的S參數,然後用Z11看虛部,但是在DDS視窗打公式去計算電感plot出來的資料都會出現invalid說
* b: B  D1 s: ]! [2 ?- T% r$ t( M; V
我的公式是這樣打的:: D& [/ S% s6 m: v$ e% q! W! r0 z
L=imag(Z11)/(2*PI*freq)
10#
發表於 2012-3-22 14:28:02 | 只看該作者
貼給你:" n! _: X$ Y; c
Lin1=imag(Z(1,1))/(2*PI*freq)*1E+9
$ y2 o& O( t: j: y! o你應該還會用到Q值的計算:
$ V- n9 Y  W/ H' b' [% pQ1=imag(Z(1,1))/real(Z(1,1))
7 O6 N- [" d$ }8 j# {0 v+ [) R* s+ T0 Q+ j3 u- B
其中,因為會用到Z參數,2 x0 B; {; ?" B4 I
記得還要到S parameter的instant中==>到parameters的分頁,. L: V' u4 v% D" i
把z-parematers打勾。5 D! Y) c" m6 ]; l% i
以上,就可以了。
- d$ T8 ?" I! s1 k. P1 J請享用~~
11#
 樓主| 發表於 2012-3-22 16:27:05 | 只看該作者
感謝rayjay大!!
. }6 |' {0 A+ w8 q/ m
9 m- F6 e3 f' I4 O不好意思想再請教個問題,在ADS中我要如何去看CMOS的Cgs和gm呢?
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