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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯
+ B2 ]2 L( u( @7 @( T* ?! m
' W. e( X$ t1 ^$ r1 J2 B- z
( k& |2 g& _+ b. i* J  A3 i6 W近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。* r# d. U! G2 e& p5 X6 H, ?* @8 M& L
查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。$ k& U+ |$ u- ?) g; ]
但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、7 t& u% {7 |, \. I9 f# B! \, N
迷惑中....
7 F' l( P& O: h如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?0 K' v( [7 I8 R9 Z6 y

( k) l. g" {: j1 G% J6 N

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?
; V# \( ], b; ~. X+ `+ v) ^
$ D4 K7 q6 z; R* v6 W% V. b個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,
4 ^! n7 S$ g: ]& \有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
+ u1 L/ M. E* N- ~% \5 ^# K: W# w有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
0 u% A( R7 c( y7 n這也是現實上要考量的. : O. \" G5 n# T. Z
" R/ d. q& ?: O! X3 g3 Q2 q
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe) A7 G7 S& e% K
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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