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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
+ d& L6 O; D: ]7 i% rESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。: i# L9 Q+ r) Y. X

+ F/ w6 Q, L% A5 Q2 R. z7 vEsd test summary:" H% U8 \, ]2 b# C; H2 J* `

( `$ }- y' R. t0 GESD TEST
: Q. A" s! p. E: d2 w
. E* s$ T6 N/ q8 O! x5 @( @* ^; k* h* k0 V
PAD
; ^2 A; E/ ]+ h

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong - _% i. z9 {5 Z7 g+ i1 O% E

2 D' G+ f& U* e) t6 V整體佈局
* K4 F% C7 n, _1 l
3 B+ n" |( t4 J8 w7 _0 b# Ppad    layout
/ i5 |6 M* x" p+ l$ e9 |vdd&pin 28-38,1  esd protection8 Z  p: e2 R$ L& i: \+ M" y3 y# X
$ c  S- N9 L7 {: `5 \. j5 }
pad 39 40 esd  protection) ?6 t9 v5 z" u" i2 M: m7 o7 m
# t! b2 Y2 g7 c/ h; _3 o9 m
gnd &pad7-14 esd  protection  _7 W$ `9 k1 m1 d5 L. |- G1 |

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
% G: c7 c# H2 k+ |  S0 J, h( I$ {4 b) s' L7 M% d, l
# q) J( k: [: `( A, o1 F
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
- n- G7 l2 p3 n# R1 X& r' B7 z  _: r( g* H, E6 ?
! I- W% D. g7 i+ r5 A* l. a
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong 6 F$ a$ R8 D, o6 {" O
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
) p* s! I/ t, P3 n# X4 u) H6 n! q- y

0 V, L0 I& ?: _" F8 k% v1 u) |   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong/ J/ E' ^/ [% U1 i. V! y7 p9 q
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 . z" j6 F- C# U! M4 `6 x* @
" t5 d, w9 _7 N, [7 o* c* W$ ]
! Z" {1 p9 Q. w3 _
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 4 p5 U# o$ r9 z5 ~( S/ T

- j0 z$ W% K: Y- j! g: m( D  g回復 12# jian1712 9 e8 q' F- u& \) n8 y# u

5 `. `6 |. k/ }5 _# V  w- K( n; M/ a8 H( F
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。7 w/ w) I' v2 l, y# k) b' S# n
6 N8 u$ z- {4 ^. U# D. Q0 @
% H; o; O2 ^& o" L9 U3 g$ `
  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
" N+ n) }: g$ [! H
  @5 o4 z( {6 e" C/ ~2 [  T. |" H: S; \3 u$ N6 n
    7 }9 u+ r. t) U
2 k3 a1 K2 V$ C6 v
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun ' Y- |6 M7 B/ k. [, X5 d: h

, R9 [& D- P- S6 H# J+ p5 j' i" D3 Y
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,) E( m4 u9 w; S. f6 J+ ]+ S- ]% a
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,' l% R: }& f7 F1 f. G
這是相當容易造成gate端燒燬,- k8 n: H6 E4 j8 g( }1 E: T$ N
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
, a2 [1 f/ Y8 h. l% u5 t" x而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,3 u  I0 Q/ v: w4 V+ W- G( K
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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