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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
$ ~4 e; p3 ~8 \; ~0 oESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
0 y# x/ M% i  g" O+ d
/ x! H4 q4 l3 o7 y  ^9 G; |Esd test summary:
! o% V7 b0 Q, g5 f4 K# a' L5 i) e+ @4 ]% b
ESD TEST
- `6 ^, M3 o8 t) O; T, x2 i5 g. j0 n7 h3 |. r
  r5 N! ]6 c  _7 w2 a" z
PAD
2 F: r' k8 A2 N0 x1 V% _8 b: T& u

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
4 y; a* O4 }* T) E3 D5 D. Y- N" y
整體佈局5 K2 E, s% k3 A* v: b3 ^4 U! ^) C$ a
1 ~6 V; f& @; z) T1 g; d. Q
pad    layout
3 J$ i, Z1 E6 F4 |0 b" yvdd&pin 28-38,1  esd protection7 X0 C' u: Y, x3 C9 N5 Z, p" {/ ?. M

+ F& J" d3 W, l4 H7 h! X( x0 Bpad 39 40 esd  protection
+ l8 X) {! B0 x  [* y0 W1 q9 e# Z8 w. ^6 B3 I  H4 c8 S4 ?; {
gnd &pad7-14 esd  protection
8 ^% D7 ~0 u# S1 a0 A8 N# {9 w. B

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x
3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
2 \" f; z; U1 j4 V$ p5 R$ ^( X+ Z! O1 |$ S+ i
- f" E) W% V9 w# p
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
2 E8 Z/ J2 P/ w$ q! Z( h$ F4 s
* J) e( j  r$ C& B' z6 ^- r7 ^, q5 K: _) P
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong 5 V; l3 f, A4 d
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
+ _- I9 |( M& g; [* U/ B
$ G+ X& Z. c) ?6 Y6 m; W- M% v3 c8 H7 O1 S3 R# E
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong+ N; Q# y$ K+ ]
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 , |, t: l8 m% h5 B+ ~( o; ^- @

8 p- ]$ |: ~" c) |* v% G
* z, s8 \  D0 E+ O) ~    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
7 B! L6 ^- c: k, R& R6 O! M. s$ D( Y: @! R! l% W) @9 h
回復 12# jian1712
$ E. c0 w5 S5 w$ J0 Q3 q& v; K$ _# t- E9 c6 f# X. F
: ~5 v/ h  r& q9 v4 f
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。2 f; s3 k+ H0 b) w9 T
) ^, S& r# p) v) K( u7 ~% e' T
4 `% e  i3 \. S* A" G8 m9 e* B
  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712 7 @* G0 w8 E8 j. k: C

$ C: y9 f, g8 l' E; F. ?! u/ B
& \* G# `7 n, K3 s9 q    5 y% W/ O5 j; i4 ?  f3 z

$ `5 h0 @) M( o5 p  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun + J0 k7 p3 N- _
2 j1 v% ^# _! [7 }
  J7 D4 a) B. U5 O- Y( h
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,
8 c# h8 k$ S  T- u! y若PAD沒串電阻, 就直接到gate,+ {& [  j- G# S8 d
這是相當容易造成gate端燒燬,  z5 g1 J* L2 c
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,3 |& c1 \' h' Z$ ^
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
4 _0 d3 Y) ?  D; Z' j0 E如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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