TSMC 0.18um 電阻精準度問題

respect11223

我最近剛接觸TSMC 0.18um製程，想在電路裡面製作一個較精確的電阻
: V. H* M3 {+ |) _/ E這個電阻是要用在高增益高頻寬轉阻放大器(TIA)當中當作resistive load使用，大小是數個kohm
! ^" V: ~$ u! v
9 M' D. l2 {% o5 k( V" Y# N目前查過製程文件資料，發現diff電阻的sheet resistance (Rsh) 的變異量似乎比poly電阻更小
& {; O, ?2 c. q1 _7 \0 kp+ poly w/i silicide Rsh變異約 30%  (7.x 正負 2.x)
+ [) ]. ?, Y9 p  p- M/ w6 cp+ poly w/o silicide Rsh變異約 15%  (3xx 正負 50.x)
" i; L  {5 `' o8 y, \& h* y* G0 v: U( \' sn+ diff  w/o silicide Rsh變異小於 10%  (5x 正負 5.x)

但是查了一下先前論壇上的文章，似乎是說poly電阻做的比diff電阻更精準??
4 q. I4 H5 e7 e! _9 E" G7 A可以請各位前輩說明一下嗎？

; I. s3 }5 P- S, Z# M/ h3 l另，如果想要使用這些電阻做為resistive load，是建議使用poly w/o silicide 還是 diff w/o silicide呢?
6 u" V( ?% F5 L- P5 t感謝回答。

shangyi

絕對阻值用diff
相對阻值用poly
面積考量用 p+diff or poly
溫度考量用poly
poly 電壓考量用 p+
( j. B' Q0 e6 G, rdiff 電壓考量用 n+

hisanick

回復 2# shangyi
" n7 f- x; C' |9 R
0 V( e9 ?# v6 `; r" ?3 M7 _+ P
    可以請大大開示一下嗎??
3 o# w' w) E# q  ]' F0 T這結果是怎麼來的?? 很有興趣想知道
關於製程我一俏不通。

franklu1227

还是需要大量时间来实践，才会有实际的感觉

franklu1227

还是需要大量时间来实践，才会有实际的感觉

cyan215

shangyi大大所述很具有參考價值~
( b7 h; m9 M$ ~# f* |
  W( @0 y" f5 ^% S. E3 Z6 U謝謝分享~

wacsula

感謝shangyi 大分享
& C. K1 N8 y1 _2 l9 @獲益良多

aircraft

感謝shangyi 大分享
" Y; \/ t" _" c) \& A( e$ a7 b- ]6 E1 z2 i# b" K: t獲益良多

filterlife

自己翻書找找看制程工藝方面的解釋~~

ziv0819

我只能提供
poly製程漂移大約是20%
所以絕對值的話用poly要考慮清楚喔！

chang707070

絕對阻值用diff
/ t3 _, g- p5 H相對阻值用poly+ m8 Z5 H% a; K6 Y: P3 i4 k
# S* n- x3 F5 n2 D面積考量用 p+diff or poly& ]; @" l- t2 C* e/ o4 G2 b
5 V  ~0 M& d% \1 v7 O溫度考量用poly
poly 電壓考量用 p+
diff 電壓考量用 n+

請問這些考量是如何得知的?
) G8 h# T8 I8 E, [6 G很好奇
我家都是POLY

kanchiam

poly比較不會有實際運用的問題..
diff和od阻值易受body的影響

林阿呆呆

謝謝分享謝謝分享謝謝分享

nyy34345

謝謝分享謝謝分享謝謝分享