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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › ESD/EMI/EMC討論區 › chip power ring 电阻一般不超过多少？ ...
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[問題求助] chip power ring 电阻一般不超过多少？

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scy8080
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1#
發表於 2008-3-13 18:09:48 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
对于较大面积的die,从ESD考虑，power ring 电阻一般不超过多少？
* t" l/ s* p% ?& |1 S请高手指导，谢谢
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qpau
2#
發表於 2008-3-17 23:36:52 | 只看該作者
我也想知道這方面知識啊!!!!
* A; c$ h7 y4 Y1 s# M. ^6 ^3 C8 U有沒有人可以幫忙回答的呢????
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cthsu1
3#
發表於 2008-9-8 23:18:47 | 只看該作者
最好不要超過 1 ohm
) p+ F# `6 d4 e# T4 z# u( T) n3 f- k如果會超過
  O! B- e" r4 i/ ^2 i- J! ^  ]那麼 I/O 這邊的元件要畫大些
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scy8080
4#
 樓主| 發表於 2008-10-31 00:01:42 | 只看該作者
最好不要超過 1 ohm，谢谢2 j8 R  b* }1 R  f8 x) l# n- G
超过1ohm, I/O元件大些，这个尺寸大小怎么来把握哪
1 d- ?" Q8 {8 n6 `2 R+ Z) I& l- F  A; Y2 z3 K6 q+ A: R
[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-10-31 12:05 AM 編輯 ]
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scy8080
5#
 樓主| 發表於 2008-10-31 00:07:09 | 只看該作者
还有一个问题，我们在做IO 管时，拉大CON到GATE的距离，大概3-4um，这个作用是什么哪
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6#
發表於 2008-11-1 15:26:02 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

是为了增大Drain 到Gate的space，也就是增大Drain到Gate的Resistor，防止突然的大电流烧毁Gate！
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samgu
7#
發表於 2010-5-14 15:37:38 | 只看該作者
若擔心 POWER ring resister，有另一個想法就是在這條路徑上多塞一些VCC to GND CLAMP
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8#
發表於 2010-6-8 10:48:22 | 只看該作者
补充：1 Ohm可能难一点，3 Ohm比较实际，特别是较大的Chip！
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9#
發表於 2010-6-14 11:36:24 | 只看該作者
看到許多前輩的經驗談......讓我增進許多經驗喔~~~感恩
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10#
發表於 2010-9-11 16:13:21 | 只看該作者
回復 1# scy8080 8 d5 `/ X9 c- b9 ~' F2 e3 c

* h6 R, d0 e8 q3 G" d! y/ `* N9 _* P5 ^
   
, _9 `7 R! |" M* }0 W$ d3 Z　以ＴＳＭＣ作为参考，90纳米以下要满足bus电阻小于１欧姆，90纳米以上要满足bus电阻小于３欧姆；如果不满足该设计规则，esd zap的时候" `8 H, n1 J- E7 v
很可能打坏core里的device。
( D3 H7 s* |) M5 V! i" A　
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11#
發表於 2010-9-11 16:24:01 | 只看該作者
最好不要超過 1 ohm，谢谢/ i# M  Y7 J( ]  A5 p1 w
超过1ohm, I/O元件大些，这个尺寸大小怎么&#2646 ...
7 N- q6 p1 u2 G# N2 _- P+ Fscy8080 發表於 2008-10-31 12:01 AM

  k: F$ i3 Q7 f: k5 J
& b- R; A0 L8 O* f! p$ L  v4 }% b: x- s5 W+ k
I/O元件大些有一定的帮助，但瓶颈不是在I/O元件本身的大小上，所以I/O元件大些起到的作用不是很大，比如diode,Ncs的面积大，实际上对diode,Ncs的交流导通电阻减小并不是% @3 N" T9 J; [; `
很明显，由于ｂｕｓ太长了，上面的IR drop太大，比如ead zap 2000v，有大概1.3 amps的电流，如果ｂｕｓ电流从１欧姆变到２欧姆，那压降就增加1.3v，而单从增大io的面积
% ^+ H, a+ |" {$ E+ s来平衡ｂｕｓ电阻的增大是很难的（再说成本上也不允许我们降ｉｏ的面积做的很大），势必会对core device形成危险！
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12#
發表於 2010-9-11 16:43:44 | 只看該作者
还有一个问题，我们在做IO 管时，拉大CON到GATE的距离，大概3-4um，& ...
$ W7 V8 i! w( s& V% xscy8080 發表於 2008-10-31 12:07 AM
* z' B) r2 U5 d2 M: k3 ~; l  u7 R
2 z: [2 M. f" b! p  o6 h' f
拉大 CON到GATE的距离也只是拉大drain 端CON到GATE的距离，不会拉大source端CON到GATE的距离（同时一般会将salicide也去掉），
& o1 \$ _4 ~5 K6 u) w: d4 f其作用是增大drain端的电阻，相当于在drain端串联了一个电阻，起到在esd 冲击时保护自己不被打坏；能保证ggnmos下寄生的诸多npn管
7 x7 j& p; b$ i8 R/ f9 Q（gdpmos下寄生pnp管）能够均匀的被打开，进入snapback状态，泄放esd电流；如果drain端这个等效的串联电阻不够大，寄生的诸多6 Z: p  H7 N4 @" X" n; D
npn管（gdpmos下寄生pnp管）可能不能够均匀的被打开进入snapback状态，只是有的开有的没有打开，而esd的电流或者说能量是一定的，
: }8 y% n  O5 E$ X必须泄放，电流在局部逐渐增大，出现二次击穿（热击穿），把device烧掉，我们通常看到的emmi图片上出现在source与drain 端的那道小
/ Y# P' f- g" ~& M# H暗条或者drain端的小洞洞或者gate下的小洞洞，都是被烧毁掉的痕迹！

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參與人數 1感謝 +2 Chipcoin +2 收起 理由
semico_ljj + 2 + 2 不错。。。

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13#
發表於 2012-7-12 13:15:13 | 只看該作者
good!
( k! T0 T' w& d讲的很好，现在在被一个ESD问题困扰
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14#
發表於 2012-10-20 15:04:41 | 只看該作者
受益匪浅啊··~~~~~~~~~~~~~·
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15#
發表於 2021-8-26 13:34:21 | 只看該作者
受益'良多3 [2 {- l1 H' |0 e& j4 z
) d5 x# J3 J4 S* c# D+ B% d
謝謝大大的分享!!!!
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