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[問題求助] TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢

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1#
發表於 2010-6-29 16:29:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大您好,小棣想要請問TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V 如果要畫電容應該要怎麼畫呢,因為我打電話過去問CIC的人員,他們要我去上暑期的訓練課程,可是現在我沒有辦法去,因為我快要畢業了,所以想要再這裡請問一些有經驗的大大,請問LAYOUT 電容應該要怎麼畫呢
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2#
發表於 2010-6-30 12:48:33 | 只看該作者
TSMC 0.35um  Design Rule里没有写的吗?
9 ?. Q3 K. H2 |有好多种cap啊2 P4 q. B! _' j- b; E9 K3 I
pip 两层poly作两极板7 e& A' A5 m2 {4 X2 t* w1 }$ T: u
MOS cap  就是PMOS&NMOS管4 ]! v: C+ |- ?1 z$ `; N( o
MIM cap 就是相邻两层matel 作为两极板& l. R6 n, d6 p5 U3 F
Nwell cap  nwell上面加层Pdiff
  i* W# T% S9 y, Q等等...
3#
 樓主| 發表於 2010-7-1 15:10:04 | 只看該作者
可是他寫的不詳細,只有說可以用什麼來用,可是我不知道電容詳細的layout過程及步驟應該要怎樣
4#
發表於 2010-7-10 14:12:19 | 只看該作者
0.35里最好使用PIP电容,就是由poly1和ploy2构成平板电容,重叠的部分就是电容,非交叠的部分用金属引出即可。
5#
發表於 2010-7-12 14:43:32 | 只看該作者
先畫  POLY1     Y um X Y um ! |; k/ n3 m  m6 n3 T0 e* ^. F
在畫 POLY2      Z um X Zum
7 y. R+ X7 e) ?2 B& o& {通常  下層版 較大  RULE 會有& s0 ~  I5 ]" ^$ G* {
做一個 POLY1  CO ME1 的 CELL  連接  POLY1& }) U4 R" X  S7 p" T* c/ `
做一個 POLY2 CO ME1 的 CELL  連接  POLY2
6 F9 o& E& B; Z$ ~) rX & Y 重疊的地方就是 電容大小
6#
發表於 2010-7-26 12:18:06 | 只看該作者
現在有PDK的功能呀~5 m' O: ~5 _! G1 b& k
你可以去看看你是否有申請~2 Z3 |& B: w7 C* {, B
這個功能可以讓你畫LAYOUT速度變快很多
7#
發表於 2010-11-6 23:44:58 | 只看該作者
先去cic下載pdk吧~~~$ |: W0 W; Z4 ?- Q
由於我是用laker畫的,所以我以前是先用virtuso去開然後在轉到laker上的...
+ S' H' S, F1 t: ]+ Q; `但是聽說pdk也是可以在laker上開啟,可能要在問問其它前輩了吧...
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