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[問題求助] 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

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1#
發表於 2010-6-6 00:13:23 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟LAYOUT完電路後,有碰到密度問題,後來也補上各個METAL密度後,DRC後密度已經解決了...
0 ~" F4 M% R5 [: @$ W& O但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤,我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...
, t+ Q7 r8 F  z5 P. ]想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!
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2#
發表於 2010-6-10 14:27:46 | 只看該作者
把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些
: Y- S% Q( e# @才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨
- T2 `) A" f9 Q7 g0 w. P, c) FPAD CELL 粉多時候是經驗直
3#
發表於 2010-6-10 17:58:10 | 只看該作者
請把rules的描述詳細說明,可能的話也把圖示PO上來。
4#
 樓主| 發表於 2010-6-11 14:50:59 | 只看該作者
回復 3# m851055
1 q: l1 j3 S# J1 G不好意思...我DRC錯誤的圖如下...6 {; k" p/ u+ v% ?
希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!
/ g' J  _& o' \( c7 N# B$ f
5 z6 R8 [* l4 U" E# w+ ^   

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5#
發表於 2010-6-11 19:25:17 | 只看該作者
就把大於35um的Metal做個slots就好了,要不就是用多條小於35um的metal畫。
6#
 樓主| 發表於 2010-6-13 01:22:15 | 只看該作者
回復 5# m851055 / ?6 Z7 v- M: I9 P" Q4 M

9 U  s, o. ?2 _- o- L3 m) W多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...$ G3 d8 L% {6 F# T
可否解釋一下...不好意思!!
7#
發表於 2010-6-13 07:36:46 | 只看該作者
回復 6# answerbyme
( _7 C7 Q* G: Q: w- Q/ o8 n
, y# S4 D3 R: _7 O5 Q* i. h6 ^# f' A1 l) K' z
   大於35um 的metal在中心處挖掉metal,一般DRC paper尚有可參考圖示
8#
發表於 2010-6-14 14:46:42 | 只看該作者
slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10
$ o& a$ T; }# e$ g* Q' I如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開# _7 S) R+ `7 @2 ~* ^" O3 d
如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師" _- I& n; K4 L
看看  有時候可以忽略
9#
發表於 2010-6-15 14:24:28 | 只看該作者
如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.' m# Z4 w& A8 j( T' `2 I
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.
10#
 樓主| 發表於 2010-6-15 16:04:08 | 只看該作者
回復 9# ponyshih * M' q$ Q; r  L5 t9 B

, F  T2 w2 }# o4 z/ y謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..
9 C" B: p9 ~: u  q小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!
11#
發表於 2010-6-30 11:06:13 | 只看該作者
關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.
# v2 C, e: H/ l( V; e2 C在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!
12#
發表於 2010-7-1 11:53:57 | 只看該作者
理解slot 最好的方法是看Design Rule!
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