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[問題求助] 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

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1#
發表於 2010-6-6 00:13:23 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟LAYOUT完電路後,有碰到密度問題,後來也補上各個METAL密度後,DRC後密度已經解決了...6 A7 h. D7 s, U5 B, W4 e, m
但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤,我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...
0 ?9 ?- j8 i- q6 G$ s想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!
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2#
發表於 2010-6-10 14:27:46 | 只看該作者
把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些0 Q% E' Z; b) C% u0 N; L+ W; H' T8 H
才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨& h& ]6 P! i: M5 y) }
PAD CELL 粉多時候是經驗直
3#
發表於 2010-6-10 17:58:10 | 只看該作者
請把rules的描述詳細說明,可能的話也把圖示PO上來。
4#
 樓主| 發表於 2010-6-11 14:50:59 | 只看該作者
回復 3# m851055 9 W& R: X. o( S, x' ~2 y
不好意思...我DRC錯誤的圖如下...
# T$ f+ A- \5 }* _希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!# h4 Z7 ^5 K* n3 B
) f) \: m( X% O" G9 y
   

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5#
發表於 2010-6-11 19:25:17 | 只看該作者
就把大於35um的Metal做個slots就好了,要不就是用多條小於35um的metal畫。
6#
 樓主| 發表於 2010-6-13 01:22:15 | 只看該作者
回復 5# m851055 # }9 h& f/ d2 b! x
* A/ B- l& i* N4 }: s7 A
多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...
$ t" j5 k6 d; P% Q9 b5 m0 s- k可否解釋一下...不好意思!!
7#
發表於 2010-6-13 07:36:46 | 只看該作者
回復 6# answerbyme
5 y5 \# z: K" s/ X8 V! ~7 u5 Z  O( Y2 Y2 q0 q! |. \: o3 s1 G
. L( Z' A) U8 O, x$ Y$ A, a  B2 I
   大於35um 的metal在中心處挖掉metal,一般DRC paper尚有可參考圖示
8#
發表於 2010-6-14 14:46:42 | 只看該作者
slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10
- k9 [5 E1 c( o' b8 H! ]2 v. I$ W) D如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開
" ~! Q; _# `9 g) m; U8 Z3 l如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師
" l6 o2 B1 W0 E+ w3 E5 W看看  有時候可以忽略
9#
發表於 2010-6-15 14:24:28 | 只看該作者
如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.1 Y0 a% G3 l7 w6 |2 d' {1 Y5 N
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.
10#
 樓主| 發表於 2010-6-15 16:04:08 | 只看該作者
回復 9# ponyshih ( [9 H+ F# L7 R; c
% [5 g& d  B" M
謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..
) M; R9 y# T) `& t小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!
11#
發表於 2010-6-30 11:06:13 | 只看該作者
關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.
4 \4 a" z6 C; Q- F; R  F3 u在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!
12#
發表於 2010-7-1 11:53:57 | 只看該作者
理解slot 最好的方法是看Design Rule!
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