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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤 ...
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[問題求助] 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

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1#
發表於 2010-6-6 00:13:23 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟LAYOUT完電路後，有碰到密度問題，後來也補上各個METAL密度後，DRC後密度已經解決了...
2 R" Q3 X& z5 W但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤，我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...  q% U; z3 p4 k/ ?! g4 D
想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!
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2#
發表於 2010-6-10 14:27:46 | 只看該作者
把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些
: i' X/ a* k) k. `8 [" D3 b$ \5 N才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨
1 h5 i/ u  W' C4 R2 y  A) x- Q. vPAD CELL　粉多時候是經驗直
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m851055
3#
發表於 2010-6-10 17:58:10 | 只看該作者
請把rules的描述詳細說明，可能的話也把圖示PO上來。
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4#
 樓主| 發表於 2010-6-11 14:50:59 | 只看該作者
回復 3# m851055
6 G( V/ d! A) {2 Y不好意思...我DRC錯誤的圖如下...
5 U* N( f3 t* g% s希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!* H  r- P2 @. p9 x1 f3 {

  E' I" W* n: S$ y- r   

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m851055
5#
發表於 2010-6-11 19:25:17 | 只看該作者
就把大於35um的Metal做個slots就好了，要不就是用多條小於35um的metal畫。
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6#
 樓主| 發表於 2010-6-13 01:22:15 | 只看該作者
回復 5# m851055
9 h0 p* X- a+ E2 `1 e
' r5 s# J( X# g% H) E多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...
# k( f7 F: J8 R2 f0 D可否解釋一下...不好意思!!
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m851055
7#
發表於 2010-6-13 07:36:46 | 只看該作者
回復 6# answerbyme % n( Y; W) w- L9 W7 X

6 P. }( h0 Y" o
! z  _$ l5 b! V$ ]   大於35um 的metal在中心處挖掉metal，一般DRC paper尚有可參考圖示
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8#
發表於 2010-6-14 14:46:42 | 只看該作者
slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10 0 L; ?. O: H! M' p7 v; v
如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開5 V6 o) u: a  D: n
如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師
; W1 I2 J& q1 |7 o, c$ _/ d$ x看看  有時候可以忽略
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9#
發表於 2010-6-15 14:24:28 | 只看該作者
如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.  r3 a/ {2 f, S1 c& J& b, Q! t
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.
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10#
 樓主| 發表於 2010-6-15 16:04:08 | 只看該作者
回復 9# ponyshih 8 ^+ L9 N2 [1 u! A$ g1 [
! v3 S' O1 d7 l* x
謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..0 M3 L+ u- O' T" |% `& N1 ]
小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!
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11#
發表於 2010-6-30 11:06:13 | 只看該作者
關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.
9 Q4 E6 s- t; t1 X8 w在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!
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12#
發表於 2010-7-1 11:53:57 | 只看該作者
理解slot 最好的方法是看Design Rule！
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