需要加 DUMMY 的時機是?

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需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?

vincent_p0593

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 V( I6 D) ]& L4 x) K& }
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

motofatfat

看你的DUMMY指瞎密
大部分是要match
Metal poly  density  不夠
, ?% L* w+ J+ |- J: i+ w5 S加ㄉ那些也較 DUMMY
% j7 ]& D9 z  c4 B+ V! @6 x7 g把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY

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回復 2# motofatfat
3 a8 G# Z. i9 e% ]6 y( g. a

+ w8 s$ c4 E1 V! _1 k' W- `% `    感謝樓上的大大
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy

zhifj86

2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦

chaojixin

楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………

levimax520

原來不同的元件也需要用到DUMMY阿

372412

回復 5# vincent_p0593
) q. q! }9 u0 U
$ W; j, ?; ]/ ~
9 b9 s2 c! F% @: d5 E$ ^0 Q    感謝您回覆的這麼的詳細
* i7 k: \  b, ^; l5 x# ~您真強

bernie820

某樓說的很對!!

- L! _6 a! A9 p6 l+ a不過簡單來說
6 S6 V4 c) O1 m( v  [- {6 b在製程時食刻會破壞掉你的元件
而特性就被損壞

+ E+ y* [  f  T& [) M3 Y, I若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
/ Y! ^0 Q# {* ]& j' _2 a0 N所以蝕刻吃他最多
  m5 _4 i* J  c. B主要部份特性就不會被破壞

很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
所以可以多找網路資料也有

xuguishuang

5楼分析的蛮详细的。。。。。

u9513349

感謝大大的分享
2 N: w3 e! K( I# A8 h; ~6 q% d5 B
又學到一個知識了!!!

鋒鋒

op的差動輸入我是一定會加
還有電容也要加
若有空間能加的都加也無彷

semico_ljj

“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的

u9513349

thxs for your shows!!!

and i love it!!!

chone1205

通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容

chaojixin

5#NB！好人啊，讲那么详细！

pph_cq

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

  s( D6 [, y5 z- V" I- W' `
0 ?- Q# g. \$ A* C6 d
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？

GU

想問一下 dummy metal 是什麼東西??

如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??

數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??

chone1205

加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕

吳龢峻

dummy device 也可當 redundant backup devices.