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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,; }7 J" r) G  O) r

! j+ y* v8 t- t& C8 d. j/ U懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,& D2 ]! j$ W) Y9 U' J
# |8 j  A. I: {/ V5 T
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。# g$ M" \% h% R; a+ S* _  [( V
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

+ }; z3 K6 ]7 {$ j% Q
% b' r& y" ~3 b: _電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
; B; S7 ?7 p3 ~0 ^8 Z- I# e標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
9 w5 F1 A! N$ ?8 v輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
0 T  a/ f9 R1 T2 q+ b: x7 u- @在理想的switch中,輸出訊號正常。- A, e3 r* ?/ u% H2 d
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。
* T7 C  h# [1 l! }3 h4 b& K取樣電容大概=400f F左右。3 _( N( E) s# w
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
. g2 N: e3 k& N. B  |* A2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato & B) {8 b  U9 n1 ~& ]3 f$ U2 H
, I5 d  \( [: O& @
, j( O1 a" c7 H( l) j; r
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid 6 Q1 b: O2 U! s* [
$ S4 W/ E& X6 H4 n4 a8 l
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖% X5 a7 `! D$ U# V% b
這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
7 \2 d8 t: v6 ]) Y% @" n2 V: z" b所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值5 p+ W! X% ~4 v1 I9 o: o
列成一個表# V/ u" Y2 Q3 P6 H  j7 p: ?% P1 D
之後看表拿進去套用即可
3 m& |' b0 Q) P8 J: H此外此電路SH電容不大
. u' \0 H! r6 \" k& f' K: M會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 ; a7 B& v. s* x: J! B+ m

1 Q2 J6 U9 C) i4 V5 G
1 f# u6 E. T0 D: K0 t/ I, t: k    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?; a  U! A+ @  Z# ?( l) i
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,7 O$ h+ a0 P$ R
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
: X% L* a6 f) s1 W一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!0 C) @" s% C8 |7 h7 V% f
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,7 z1 S8 l! Q" N. x) s& H, \
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
  }) O9 R0 `* k2 Z% y前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,7 n  [. a0 \2 u
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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