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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; g" \# d, i" ]
9 r2 O4 w! \: h, Epoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
6 A, W: P& Z1 [8 E# F$ O0 g大部分是要match
1 W' C3 T1 S# k; E' _/ ?Metal poly  density  不夠
0 Z) a/ E# P3 e$ B# j% L加ㄉ那些也較 DUMMY
) i) o! p* z$ |2 V& t- d, }& Q# K把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat + x' p4 D' S- H: j) v

. P, Q% F1 m* e, b# w1 s4 P5 N% T( K( R9 X
    感謝樓上的大大  v7 Y( h- N4 Y/ g5 V4 v# C
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 / h) P2 {: w8 H+ Z" i6 K
) P% |( z$ p1 C9 `. p' V2 z+ C8 B
, C6 H) B; }$ v3 A9 ?: {8 a# g
    感謝您回覆的這麼的詳細  o$ u7 O/ \) U, l
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
7 n! c0 ?8 C0 {+ O' p6 `% r. ]* Y7 }/ h! X
不過簡單來說
! s& Q1 {2 N& I在製程時食刻會破壞掉你的元件# H+ [5 {) t8 }4 G6 \
而特性就被損壞
: N) U0 R3 m6 J2 H, b! |3 j! K
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>. w& M& g7 ]) g
所以蝕刻吃他最多
4 _0 T* }' N3 W1 a, j/ X主要部份特性就不會被破壞$ e2 l$ p. c) h& \4 A. J
9 G. t1 g7 f$ L, M. d
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>1 n2 d% g8 x. p- p1 Y
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, ?& v: U6 U, P9 D$ t' U8 ~% B5 h
7 `" Y, \& c. f3 X又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加4 E7 p# |0 l" k& D
還有電容也要加7 c4 D2 y# h( j7 D  }3 `+ J
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!. n+ v. x( t8 V6 q% [
3 l4 F& Y4 a0 ?( g8 E
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 G3 y6 P5 y4 @. cvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

1 P- ]# N. r8 w0 t/ y3 z* l6 j# P9 O

) P# {( C+ ^0 T( p$ A0 q    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* r9 W- \) e1 I# G  X

7 R8 B9 M3 ?) ^. C5 I; m& w, X: f如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
, d8 o' a3 g1 b3 H/ L9 F3 E* I) P3 F0 K; D: A. q* a  v
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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