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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,' m, ?; ?6 y# R( }5 j5 k2 p/ P

& z, K' L& M' U+ z) V0 {5 d: N懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
7 @, y. F9 L! u. {/ D) C- g' w- V: ^( Z
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
+ S! C4 Y, Z" o2 H) n# K2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

8 p$ I3 ^: K' {* v/ h* i$ Y. |$ w2 Z6 D
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
" g" C, Q; T0 N: L( D6 f& T標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
/ o2 j& [# q: y% L/ q% N  R輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
1 }# |8 F' L- h% O. w! O5 v在理想的switch中,輸出訊號正常。1 s+ ~/ w, T" o+ m1 m
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。
4 ^# X: [( p) j4 H$ ]; k7 y取樣電容大概=400f F左右。1 a3 O2 g. V4 b, R0 f
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
' h4 ]3 a8 b, y, X3 Z) ~( r% @, z2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato / \5 s  ~# n$ m2 ?$ r) I

, x9 U/ r+ P& ~, `/ H+ g! {! F+ |# u
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
; D3 X7 t9 E* X4 ]' D$ f( R% ~
; B- k0 _" {. N先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
) R. ^1 V' D4 p# ~8 X這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
/ t2 j# c3 o  f1 `) b: m所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值
1 X7 A2 ~" e' D# V$ \/ Y8 a列成一個表/ I' F6 g' d/ i; B5 |+ {# ?
之後看表拿進去套用即可
7 p8 n6 _# @9 r" Y% J! @/ ]% P此外此電路SH電容不大
. q% {4 v6 S) ]$ j/ P0 x會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 0 A) h% i# [+ j: T  _

, V8 m$ y% F0 q# S; @* j( ?, i8 r+ x% L0 e3 \2 D
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
& [" R0 f' o; |+ p3 [7 G" Y' P! T4 w由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,# R+ V' q- e- y1 z5 w- P. w
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,* q6 \# h5 E/ i; K/ ~
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!9 @, D! r. z% y. k* J9 `  b! [( y
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process," F* x8 }* }9 a! J( W. }/ t  c% h
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??. K/ E7 A; x8 {/ F
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,) `$ c! R' b& ^" Q6 R: _8 N
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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