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[問題求助] PNP-B J T => LVS認不到...

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1#
發表於 2009-10-3 22:03:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
5Chipcoin
請教各位高手
0 c& E4 k. n: \製程: D351 [: f5 k% Z, |2 q- M
元件: PNP
8 B" m( }  @+ K% W" ~( ?2 B個別跑LVS時都可以過
* Q/ O  o" L4 Q* b$ M可是兩顆放旁邊時LVS則不會過 有人可以幫我解決這個問題的嗎?
  p. j5 x1 r0 S5 x" I* d雙方的B腳是接地端
% d& m0 }: \& g' c1 `1 K另外也請解釋一下這是什麼原理 為什麼不可以這樣接
# F6 H- e8 v- l$ I+ X; w/ y( l我最後是想要實現底下的串接法~# e3 x4 C" ?$ j5 G/ p3 w- _
感恩
  q, e/ l6 U% x' D) s$ z
2 r% U0 V* |3 O. q[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-10-3 10:14 PM 編輯 ]
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最佳答案

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以上大大說的都沒錯 不過卻都沒針對D35的製程回答,只有說明為要用什麼東西 這樣並不能快速解決他的問題 上面其他大大回答的我就都不贅述了 BEC腳仔仔細細的看"馬的"檔一定會寫到裡面的一些製程檔 我看到了你ㄉ問題了 加油 我也遇過這問題 還有一個方法就是 LAYOUT畫到會過就好了 如果不行不要用這架構了 這擺明是不能的 請換架構 我跟上面大大回答的ㄧ樣 D35不行用你那個架構 ...
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2#
發表於 2009-10-3 22:03:37 | 只看該作者
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3#
 樓主| 發表於 2009-10-5 04:54:20 | 只看該作者

這個是我提出的問題詳細說明

以上可能是我問題問的不是很清楚
1 k, E& Y% z" s0 n8 K# q這個是我提出的問題詳細說明
" j7 \( J" G/ M! ]$ Y如副檔請各位高手幫個忙囉
9 J/ {% y8 E5 R; s謝謝1 X  S- v% U8 t+ ]8 V% R
0 ]9 ~$ {2 S' S
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-10-5 04:55 AM 編輯 ]

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4#
發表於 2009-10-5 09:52:19 | 只看該作者
難以解的問題
& I/ i4 {$ g- E9 C. d有2個方向來看
' t1 ^* q; e! |2 x一方面可能是 你的 netlist pin 腳 對應問題
7 C' Q: x) u- |4 S, S0 t從圖看來 有箭頭ㄉ是 E  中間 橫線接地的 是 B 而另外一邊是C, Z# Y' U5 U4 @
看看你ㄉ layout 與 netlist 是否市 這樣街ㄉ
5 ^2 T8 w8 r+ j1 @: y; B+ S由於P+ 會透過 P_SUB 連接 所以現在多用 一個 PSUB2  來區隔
7 x& U) v! A+ W5 z用N_WELL 隔離 也有 相同效果
7 i6 Z. ^4 V6 f+ A# _7 W6 y% I3 V% B" I+ e2 j/ m
一是  command file 你ㄉ BJT 是否有加 bjt dummy layer 3 Q7 b$ I! J: F. c6 m- P
如果沒有可能會形成 自然ㄉ BJT 導致 LVS error
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5#
發表於 2009-10-5 16:30:13 | 只看該作者
CC是P+所以跟GND不可分,除非每一顆單獨ISO才能串接.
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6#
 樓主| 發表於 2009-10-6 02:38:21 | 只看該作者

回覆SKEEPY大大

除非每一顆單獨ISO才能串接." `# @  _+ @1 ^
你說的單獨ISO是指??, v: R' C' R' i( Q0 C
D35串接PNP要怎樣才能單獨ISO呢?
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7#
發表於 2009-10-6 09:46:30 | 只看該作者
外圈的 psub(C0,C1) 電性上是只能接到gnd.除非你有twin well,也就是有Pwell 把C0,C1 端隔開(即ISO)才能都認到.
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8#
發表於 2009-10-6 23:02:33 | 只看該作者
一般製成都只有一塊地(sub),一般就是用psub2騙過LVS,那只是區分GROUND,實際上所有地都接一起(也就是0電位,透過sub都接在一起),不然ERC會有SOFT CONNECT ERROR& W4 _$ G2 b$ Y
% i6 g7 e* a* J$ I0 T
你要那樣接LVS還是可認出來(要看command file怎寫的),但是會有ERC ERROR(SOFT CONNECT),實際上是接錯C0會透過SUB接到C1,若是蓋上PSUB2,LVS會對(騙過他),可是那顆IC做出來應該就不work了./ Y) h( L  P5 a
+ q3 w2 d6 I; Y" a: L
假如製成有NBL或DNW或twin well才能那樣接,也就是能割出獨立的PWELL,就是會圈一圈nWELL,在墊一層比較深的同type的well(NBL,DNW,twin well),這樣就會割出一塊獨立的PWELL( ISO PWELL)
6 }5 `1 `. r4 l( v6 R; a* |8 `* R7 \  i- u
LAYOUT不是拿來就畫,文件看清楚,有空去看看剖面圖,command file.
$ G. }! K" U/ c7 d, v$ W. d7 O
/ q1 C& s! z6 s[ 本帖最後由 12345 於 2009-10-6 11:38 PM 編輯 ]
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9#
發表於 2009-10-12 17:58:31 | 只看該作者
是dbh035么,用DNWELL OR DEEPN 和nbl隔离起来,不然啥招都没用
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10#
發表於 2009-10-13 09:39:49 | 只看該作者
没有单独的Well 隔离!
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11#
發表於 2009-10-13 11:00:02 | 只看該作者
原帖由 wiwi111 於 2009-10-6 09:46 AM 發表
! v' A, \. T# i9 h# [  [外圈的 psub(C0,C1) 電性上是只能接到gnd.除非你有twin well,也就是有Pwell 把C0,C1 端隔開(即ISO)才能都認到.
# A1 @% s/ M0 g

( P! o$ h7 l- \: Y上面大大說的很對~簡單來講~ 你BJT選錯了~你不能用這種寄生的BJT來做串接使用~ 建議改用垂直的BJT
% u+ X* z5 i4 u3 a3 z. ~% o# g這種的BJT 它的 C 端一定都是接在 P-sub ~ 所以就layout 來看所有 BJT 的 C 端 都會接在 psub 上: K) e2 W1 @. z+ J
你可以直接把你附的檔上的BJT剖面圖~都貼一起~ 你就會發現 P-sub 都是同一個區域 的,
' h6 A; f9 I3 {誠如其它大大講的~ 不然你就得選那種製程是可以區分 p_sub 的 ~ 不然即使你使用 dummer layer 讓它認得到 ~ 最後還是不會工作的
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12#
發表於 2009-10-13 14:26:40 | 只看該作者
小弟借由 此問題 回覆請各位前輩們看我的說法對嗎?
5 E$ q1 a0 |0 ]; T& t; G
9 G0 u; t6 a7 @3 k: u如果 上圖我在每個BJT上 都圍上 NTAP  是否可行呢??
: F2 A2 p/ }3 b+ l
1 Z. E) `' O1 b8 `" H感謝
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13#
發表於 2009-10-13 16:23:54 | 只看該作者
D35到底是哪家的工艺,我为什么上传不了图片,难道是我发帖太少了么
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14#
發表於 2009-10-13 17:44:00 | 只看該作者
C极只能跟psub等电位,需要单独的pbody,也许需要nbl给隔出来,这个在纯cmos工艺很难实现了,是你们的designer对工艺不够了解,让你受苦了,不过你的cross_section 画对了,怎么没看出那些C极是软连接短在一起的
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