pad等效電路的萃取

familys123

我想萃取我自已畫的一個rf pad其等效對地的串聯電阻電容至rf電路中作模擬
0 d) U) E0 }9 }
但是由於是等效的關係，所以做lvs時無法認出
$ e, f0 Z. I. b' _' l  h
3 l: G6 g8 ]- X7 ~我想直接就做lpe但也是無法成功，作lpe也是要給定schematic的netlist

所以lvs就沒過了，lpe理所當然也沒過
0 `1 F/ ?; P- V+ ~9 h
想請教有作過的大大們要如何作才能萃取得出來

dacainiao

在做LVS時，如果使用的是Calibre軟件，提取版圖網標時還會生成一個*.sp文件，查看sp文件中對PAD電路的描述部份，根據這個描述繪製原理圖，樂意通過LVS。但是你的保證你的PAD版圖沒有錯誤

gyamwoo

在此嘴炮一下，之前小弟想把一個pad的layout原封不動地用ads的momentum作電磁模擬，再用ads的spice model generator把電磁等效電路(含RLC)轉出來。
" |# A3 d* @0 Q$ l" i結果就是沒有處理過的PAD，電腦在模擬的階段因為莫名問題終止，一直不能做出其等效模型

z753951

直接用calibre PEX抽出來應該就ok了吧?
# i- N8 ^( N3 s所生成的檔案裡面都有寫他的寄生效應!(電容電感等等...)

rice019

我以前在做電容式的指紋偵測也有類似的問題
我是改寫LVS的command file
將寄生電容改寫成實際的元件
- U( h; V& A0 E9 y7 H舉例來說
, Q0 ]5 [0 c" l0 K- k* kM1 M2的寄生電容 一般的design fF級不care
  p1 z) }; r9 C# n+ d5 X' [/ y但是敏感的元件對寄生很care
; M9 g! }2 ]5 A: ~/ _! @1 R! J2 ]這時候你改寫LVS command file 以M1 M2再加上自己定義的dummy層
3 \" h) y# F; D' q1 dM1+M2+dummy為一個實體元件
1 {2 B5 u* l: n4 W5 N同理其他的寄生元件也可以寫成lvs元件
寄生電容的大小可以自己計算或者查詢晶圓廠提供的 interconnection 相關的電容值
但是我建議自己計算 因為晶圓廠提供的資料有時候也是錯的
自己驗證計算後比較保險些 oxide的介電係數約3.9 -4.1
) s. K+ q8 y) j# S! D& _厚度的資料可以在晶圓廠提供相關的資料中查到
要注意0.5um以前的製程 並沒有做平坦化
- B" I5 W4 @) v; i所以你的電容算出來與實際並不會很準
修改command file是RD的本職學能之一
command file沒有的就自己加進去
. o1 D, F; R! T0 U+ ^- F  l軟體online document就有寫修改的語法
讀過之後你一定也會改的 加油