pad等效電路的萃取

familys123

我想萃取我自已畫的一個rf pad其等效對地的串聯電阻電容至rf電路中作模擬

/ L  Y- ]! ~/ t  @但是由於是等效的關係，所以做lvs時無法認出
$ x3 J9 a; I0 O2 w
我想直接就做lpe但也是無法成功，作lpe也是要給定schematic的netlist
/ s( Q2 l2 s  t2 b
/ |; h' O  R0 ?2 b% i+ L+ U% E所以lvs就沒過了，lpe理所當然也沒過
3 f. Z( S& D1 ^( r
' K3 u9 a. U, {) w. v" y& s/ f想請教有作過的大大們要如何作才能萃取得出來

dacainiao

在做LVS時，如果使用的是Calibre軟件，提取版圖網標時還會生成一個*.sp文件，查看sp文件中對PAD電路的描述部份，根據這個描述繪製原理圖，樂意通過LVS。但是你的保證你的PAD版圖沒有錯誤

gyamwoo

在此嘴炮一下，之前小弟想把一個pad的layout原封不動地用ads的momentum作電磁模擬，再用ads的spice model generator把電磁等效電路(含RLC)轉出來。
結果就是沒有處理過的PAD，電腦在模擬的階段因為莫名問題終止，一直不能做出其等效模型

z753951

直接用calibre PEX抽出來應該就ok了吧?
7 N* @  T0 d# c& O所生成的檔案裡面都有寫他的寄生效應!(電容電感等等...)

rice019

我以前在做電容式的指紋偵測也有類似的問題
# R" \( h  J  u$ G1 ~- z我是改寫LVS的command file
將寄生電容改寫成實際的元件
舉例來說
4 L1 R4 d, d, w3 QM1 M2的寄生電容 一般的design fF級不care
但是敏感的元件對寄生很care
這時候你改寫LVS command file 以M1 M2再加上自己定義的dummy層
M1+M2+dummy為一個實體元件
同理其他的寄生元件也可以寫成lvs元件
寄生電容的大小可以自己計算或者查詢晶圓廠提供的 interconnection 相關的電容值
但是我建議自己計算 因為晶圓廠提供的資料有時候也是錯的
- r' {- e% M! `! O) V/ q2 k自己驗證計算後比較保險些 oxide的介電係數約3.9 -4.1
厚度的資料可以在晶圓廠提供相關的資料中查到
要注意0.5um以前的製程 並沒有做平坦化
3 l1 V+ J- A/ U  e" g/ u; V所以你的電容算出來與實際並不會很準
修改command file是RD的本職學能之一
5 f# I, s9 X$ K1 T; j) A% Dcommand file沒有的就自己加進去
* {2 |4 ~/ J0 o6 l: T8 I軟體online document就有寫修改的語法
. n% H7 k, L. _! G0 {讀過之後你一定也會改的 加油