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[問題求助] 記憶體如何驗證

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1#
發表於 2008-5-1 17:17:17 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位前輩大家好:
0 N( t2 p' q; I* w+ d3 S    小弟最近在做的project有很大量的記憶體存取3 u1 ]1 O( s8 U
    但在做的過程中曾想過,
2 b0 R3 `+ |5 A: Q   
; d/ {# M4 U0 A2 B* ^$ g    在使用modelsim 看過控制訊號正確後+ U1 {, ?" M8 q8 ?
    "如何驗證自己寫的memory controller有資料真的寫入或讀出"
& k! g) }0 E; I
8 ~6 O/ l9 t, ]& P# b- Q6 k    因為在模擬的時候data line都不可能真的有資料進出,頂多看adress輸出跟控制訊號的關係而已
5 w9 y1 i  l0 P( E    而我之前的做法還蠻爛的,就是先寫固定的資料進去,再讀取出來7 a' A' _# B0 g% E/ k* k7 o3 r# [
     然後在內部寫比較器去比對,如果讀回來的跟寫入的資料一樣則讓LED亮某個燈6 |+ B. i' y6 u% x( G
    想想這好像不是很好的方法
- X( ~6 G" F! z6 V/ `' a    想請問各位在做memory controller的驗證時有沒有什麼更好的方法呢 ?9 x2 l6 y  j5 r; c7 E& V
    p.s1 : 還是小弟使用軟體模擬的方向錯了?
( d4 t+ p4 Z. q: H8 c8 P    p.s2 : 我有一台簡單的LA , 可是飛機夾對memory的pin腳來說太粗了,很難夾,有前輩有什麼好方法可以讓我量到真實訊號呢???
/ ~# S- [. A# J  D9 ~$ {+ r: |2 k2 v: \8 P  p$ {
    以上是我的問題,如果之前有人問過請版主告知,小弟會刪掉的
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2#
發表於 2008-5-2 11:11:48 | 只看該作者
對memory controller做驗證,要做到完整不容易,跟你要驗證的memory type有關,要做到每一家的memory都適用,更須了解各種memory的規格.
& \- }2 O( c: X! P基本上要有software interface (c/c++ program)到memory controller,還要建立各家memory model,然後先驗證memory controller 的control and status register 的reset values,再改變control and status register 值看是否正確,都正確後,再去做各種memory model的 read/write.
3#
發表於 2008-5-18 01:39:46 | 只看該作者
聽起來是你的ram是外掛的
* V9 e! \: u0 @3 j* B* l0 f8 N" T, v( \) C' H/ [& k2 W
針對你用LA去來信號這個問題而言, 你可以考慮利用FPGA內建LA去捉信號來看
4#
發表於 2008-5-18 05:43:01 | 只看該作者
針對量測的問題給你意見,探棒可以用轉接成小的或是將要量測點作拉線之處理。
5#
發表於 2008-5-18 15:54:08 | 只看該作者
之前我在寫SDRAM控制器,因為容量達8MB時也遇到相同問題。要一個一個寫入再讀回送到PC去做驗證,花的時間很長。另一個問題是要放那一種資料。8 L' T. M$ h  s% n8 u, ?
後來試了幾個方法:) V  {8 Y- r$ K! |, |
1.放在Address相同的資料binary code。驗證是很簡單,可是覺得資料太規律,可能會有沒考量到的,像high byte data大多為零,驗不到。
( A2 {4 L, k4 ]/ G% |) Q/ U2.利用固定加入數值的counter做為資料,每次加入像97等質數,這樣就可以驗到high byte data。而且Address和data之間有數學關係,也很容易驗。7 Z# r6 o# X3 d3 S
3.使用CRC(或Linear  Feedback Shift Register)產生數列方法來驗,數值近似亂數,效果最好。
6#
發表於 2008-5-18 18:05:46 | 只看該作者
樓主的方法雖然不好  但卻是大部分 DRAM IC廠做 Function Check使用的方法
2 w6 {' D3 }& x3 D& E對自己準備要寫的資料  做一番精心的設計   0101  1010   0001  1110 .....etc
$ z# |! F1 ^# y% l% a# b在同一套PATTERN  對Memory Controller 下不同的指令" k/ {& T) ?) Q( ^6 L' e' |1 V
比如   Burst Length =1,2,4,8   Cas Latency= 1,2,3
, T8 M4 S! `& A  u& Z! SData type是 sequential 還是 Interleave ....等% U- E! ^7 `- z

3 }" Q$ i( b2 n; x  s4 W7 t1 ]每種MODE 都做一次 Write + Read 看看是否 一樣?
. ^- \% A5 L% ^! W4 {: X有些則是  你寫進去的DATA 會被 Mask掉  或是被 Trucate掉  所以你讀出來的資料不會與寫的一樣+ X- y0 F3 a7 y% B
反正各種PATTERN的設計  都是希望在 輸出端 看到想要的 WAVEFORM  但不見得要跟寫進去的一樣8 |% S0 a& ~: _3 {3 r& Q: F) ~4 V3 P' O
當你把 CHIP全部類型的指令組合 都下過一次   
2 u% ?7 u" ]) a6 T' d) s, k0 m" |都沒有問題  基本上FUNCTION就沒問題了4 l$ `* g. s4 M) @  P4 [& p, W( \
剩下的就是 Timing Spec能否調進去的問題.
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