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中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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1#
發表於 2009-7-2 13:39:33 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
# q" E/ R' q( H3 t---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性9 K% P2 t. j) Z" g

4 Z3 T+ B# e3 `7 ^2 \一、前言+ i5 V8 ?& k( x5 ^8 K; T' c) Z
二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體/ {$ T$ b% g' X$ `# h
三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理) ~" e0 A! L' {' I' L1 M3 M$ O  r
四、實驗結果與分析推論% N1 d; D9 [# i
五、結論' c" L& {1 `& }/ @+ }$ Y
* Y! t- i& t1 |6 f7 f/ O% _
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2#
發表於 2015-5-10 15:41:52 | 只看該作者
為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限
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sbm81tw
3#
發表於 2018-11-28 16:16:09 | 只看該作者
感謝樓主用心的分享使我們得以成長！, F9 K! U- E# x0 o/ {- T4 I3 }
4 ^8 X7 y0 x7 `. i9 p
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4#
發表於 2019-1-26 20:56:41 | 只看該作者
謝謝大大分享，最近正好需要相關資料* C8 J: K& n! G0 D4 Q
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5#
發表於 2019-3-13 19:04:46 | 只看該作者
感謝樓主用心的分享，您使我們得以成長！~
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sslin
6#
發表於 2021-6-7 10:28:59 | 只看該作者
- Y7 t( w3 N4 Z4 q
謝謝大大分享，5 o& _/ ]4 |7 H: \3 n
- |3 g' d+ S6 h: B' v) h8 ~/ y
深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
  u* U  O( p( ~$ ?2 ]8 R% O, Z3 a, U
& ]) g6 W: j: }+ x* m: ]先下載 看看- S$ o, K' V! C2 `
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myokd
7#
發表於 2022-11-24 00:28:21 | 只看該作者
謝謝大大分享，最近正好需要相關資料
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