用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
) W/ u1 t+ ?  {3 q$ K3 L* m( p請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
9 U1 v( f# t. t  ?2 ?因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

# r8 }4 m3 B& f. f: L4 K! F3 r1 ]感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
0 z+ i5 x- F8 A* \7 m可用軟體模擬出C-V曲線,
, T* v9 |8 [! B# jBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
) u  l- {) `! Q+ s: d9 P0 n, a也就是長在NWELL裡的NMOS,
- D- p& i$ ~; I' u% w; h, q* f9 w2 kspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
3 L# j( b8 g& M使用這種元件並不需要多加光罩,
) [/ [" `. t  d" x4 z建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
* x# w( ?, l4 `1 z8 U.print CGG=LX18(mn1)
6 m3 v1 H  N; q* d0 f- X.dc vin 0 5 0.1
....
.....
.......
.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
4 b# W+ v$ L* v5 _1 N4 _6 C1 A# U如有錯誤，請大大們指教~~~

對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
) w8 ^) r8 H' y: ], r& O5 T7 w而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值