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[問題求助] 如何讓 current mirror 做的比較準確?

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1#
發表於 2007-7-3 09:16:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
4Chipcoin
當 current mirror 呈現 1:200 的放大倍率時,* s9 ~0 c1 S, k  X6 I& W: W4 g
且有 8 個 channel 時, 如何讓每一個的 channel mismatch 做的最小?
/ O( E7 H* y! e* D" K: f因為  process 變異的關係, 所以這一部分的誤差還相當大!
' C$ b' [1 i4 W+ i. e; X4 e該如何避免?
) T+ C) M$ R8 o2 u8 V5 Q# d又  經過大電流  會產生高溫  此時的 current mirror 的倍率也變化相當大?' E8 ]( H1 t1 s1 [7 l
該如何克服?

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monkeybad + 5 值得探討的好問題!

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2#
發表於 2007-7-4 17:12:03 | 只看該作者
可以試試用casecode的方式' N+ c& X4 B# K% c7 L4 B# M
" R; t8 I1 R" T
不過之後的layout才是重點核心的部分7 e9 ^' n# U; T. d7 N/ u( O2 l
8 v0 p5 L( d3 N8 ?3 ~

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monkeybad + 2 感謝經驗分享!

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3#
發表於 2007-7-4 23:18:32 | 只看該作者
1.可以先做1:10(或1:4,2:8)的 8channel match 這樣面積較小match效果好點: R( i  k' Y2 @9 w! Z2 x
   各channel再做1:20(1:50,2:100)( S$ c+ R- r6 O$ g# {% [4 K
2.如果不考慮area,效果最好的是用calibration的方式,這須要用到電容及switch而電容大小會決定
# H$ L3 D/ Y" y% O/ Q   calibration cycle 6 _3 V. u5 e: E4 f7 d
3.每一顆mos DC 點都要一樣 那可能就要出動OP來鎖電壓啦!
8 z4 J9 r0 T8 R4 \/ V! ~: s( B4.元件的L,W 也要選安全一點的range

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Good answer!  發表於 2022-8-22 03:59 PM

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monkeybad + 3 Good answer!
mt7344 + 5 Good answer!

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4#
 樓主| 發表於 2007-7-5 09:17:56 | 只看該作者
1. 有想過一級級的轉!! 不過每轉一次!  就會有一次的誤差!! 如此的變動率會不會太高唷!!5 [0 y* c  ?/ e' k0 v* a
2. 有考慮 trimming method!! 不過! 不太可能 trimming 8 channel! 只 trimming 最源頭!!! ~+ t. T9 f- k+ Y+ t5 J
3. 有看過類似的架構!! OP 的 offset 是不是要非常的小? 否則真的不知道影響程度為何唷!!
- k( b, Z$ }+ [, Z4. Cost/Performance ratio 真的很討厭!!  又要小!  又要準!  真的好困難唷!!!!
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5#
發表於 2007-7-27 17:48:13 | 只看該作者
先把八個channel做相互做match9 m7 X+ m. `, ^$ U4 R1 a
再用一顆OP取其中一個channel電壓做鎖定9 R, f9 v# S# Y" Z3 Y' c  c" m
; r& o% ?4 u& w) z) Z: f
提供一點個人意見
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6#
發表於 2007-8-23 23:25:31 | 只看該作者
這個問題在 LED driver 會常常遇到
5 |; A2 J9 F+ j( [* N: _  Q* W# K7 ]* }' C7 q
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制3 A5 W5 j. S$ a+ u
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知
1 v  \5 f$ d1 W: t6 a7 S; Z主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]
/ c0 w% E7 X3 j) M鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制8 w; d2 X6 J5 `1 D" o8 n. Q8 B1 H
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力: Q) |# w. c* i% y& b
並減短設定時間
& O/ c: g! N) q. K
' E  Y$ ^' C! e6 n) ^channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error- t* E& r7 i8 C* I2 z$ ~0 D. c
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
$ g* C+ t* z- T! W$ `
3 y: R4 c5 ?5 u; O) R5 ]4 r% T至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,
8 `2 i, }, N2 W2 H7 L此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max), k4 q$ D" K; R  t. m2 h

! K/ v4 H! l4 R7 R溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)" z1 O- [6 `2 H2 U4 d
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小, a* ?4 t+ Z$ x4 y+ y. Z; _
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,( C8 j" c" F- C  l; V# j2 S# T
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
/ a! g$ a+ [! V7 r9 _- L- t! CPtotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)3 m, V' U1 o  r' P  N
選用的 theta(j-a) 必須確保在( [9 T" d8 k: n% q
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
4 |7 d# g- h+ Z( Z% p選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal

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7#
發表於 2009-5-1 14:08:48 | 只看該作者
除了電路設計解決外,  Layout亦是關鑑
5 o. ^8 i* _, J; N7 s- Q/ B7 N1 I  k
1. layout 單元化(Unit) 以此單元倍增減$ u! j9 x4 [6 T# o" K
2. 元件W/L盡可能最大化 W>5um, L>3um或更大& b; ?; B- I+ W  X) r
3. 多可善用匹配layout技巧, 如交叉, 對稱, Dummy...
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8#
發表於 2022-10-12 19:55:32 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
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