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這個問題在 LED driver 會常常遇到
5 |; A2 J9 F+ j( [* N: _ Q* W# K7 ]* }' C7 q
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制3 A5 W5 j. S$ a+ u
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知
1 v \5 f$ d1 W: t6 a7 S; Z主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]
/ c0 w% E7 X3 j) M鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制8 w; d2 X6 J5 `1 D" o8 n. Q8 B1 H
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力: Q) |# w. c* i% y& b
並減短設定時間
& O/ c: g! N) q. K
' E Y$ ^' C! e6 n) ^channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error- t* E& r7 i8 C* I2 z$ ~0 D. c
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
$ g* C+ t* z- T! W$ `
3 y: R4 c5 ?5 u; O) R5 ]4 r% T至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,
8 `2 i, }, N2 W2 H7 L此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max), k4 q$ D" K; R t. m2 h
! K/ v4 H! l4 R7 R溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)" z1 O- [6 `2 H2 U4 d
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小, a* ?4 t+ Z$ x4 y+ y. Z; _
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,( C8 j" c" F- C l; V# j2 S# T
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
/ a! g$ a+ [! V7 r9 _- L- t! CPtotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)3 m, V' U1 o r' P N
選用的 theta(j-a) 必須確保在( [9 T" d8 k: n% q
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
4 |7 d# g- h+ Z( Z% p選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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