transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
; P5 M) f8 \+ x在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
0 C! v! }) p$ C& z& g( a: W內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
跟tri-state(pad接在gate)
兩者，哪一個ESD的能力比較強
而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
8 @( n! F; }$ ]9 @; a  a; x那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
% G& O* w, c. ~" P9 L' v& _8 Y在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
8 ]3 v; ~0 p1 x2 {內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
lupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao

  y; h+ K2 @5 M% v原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao

/ x7 v& d, q/ T: D  i; C原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

$ L) g" N+ e; f# g( E; J$ z
2 G; [4 |% ?) M$ S$ h    是这样的；
0 D5 y- W. @- K" o- D9 o   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得
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