transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
$ ^' d+ p( `4 k7 x, J2 j在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
跟tri-state(pad接在gate)
0 x0 n7 O5 A) v2 ]8 k9 U, h+ E3 K兩者，哪一個ESD的能力比較強
! z' h9 S2 E* g% P  V而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
# Q( R* b0 g7 m2 G: L那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
1 j* J* J0 r: s內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
lupiu 發表於 2012-6-21 15:43

# W, ~5 _; P% A6 k; S1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
/ @6 R5 T) X0 p' P/ ^& F5 ~2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao
4 d  z9 z6 ~6 v! i+ g
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao
- w" e1 E5 \; d& ?
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
# e4 j3 P! d4 O, hgaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

* \- I% a1 v4 J8 C+ V! h
. U" C0 R# m% v

    是这样的；
   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得
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