[問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

jeff710203

各位先進們
                                                                                
請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system
% k( l- l) t; A  D* g                                                                                
在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator"，在文章的後面Table3
                                                                                
4 P. l( X, `* L& w+ d" K. T& ]4 D+ u提到pass transistor 設計的尺寸W/L=40000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V
                                                                                
6 H) x1 R3 h: T* ~: u" Z  a$ V以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體，發現至少需要Id=100uA
                                                                                
: l" f0 @( h! a) I/ ?$ j以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小，還是我誤解他的意思，請各位先進指教一下
                                                                                
感謝