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[問題求助] 陶瓷電容怎樣分析

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1#
發表於 2008-11-10 15:30:05 | 顯示全部樓層 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近在量測陶瓷電容發現很大的問題,原本查出原因是電容只有1M ohm,但是點久了會回覆10M ohm 後產品就正常了,加焊電容也會恢復,但是用x-ray 看又看不到有錫絲殘留,用三用電表量測幾次也會恢復,拆開電容重新焊也會回復,是否是電容內有何問題?要怎樣機台量測維持原狀電容不要讓她回復10M ohm 又可以找到原因,不知到哪位大大對於電容精通,可以幫忙一下,感恩感恩
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2#
 樓主| 發表於 2009-4-22 18:38:23 | 顯示全部樓層
總於可以解決了,陶瓷電容因為裡面層次非常密,使用X-ray 無法分析,除非使用高阻計量測,量測IR 特性,如
; w$ u! E& ]& c: V0 a; Z設備:HP 4339(HP是品牌惠普,後面是型號)5 T" W# A: P5 p0 H1 r
測試方法:以一倍額定電壓(10V)充電60秒量測
9 H7 y6 r* \4 e0 \/ Z/ ?  i3 |& c( V) X9 i; m  Z) P/ b6 V
可以量測,並且當初用Thermal shock 沒有多大作用,但是改用 HAST  or pcT test5 l5 z6 T/ N/ R/ P  j$ s
水汽進入IC封裝的途徑:
& p! p1 O$ O7 m2 i6 Z0 ~0 ~1 B1.IC晶片和引線框架及SMT時用的銀漿所吸收的水* T9 ]7 F3 g: s! S- T, b
2.塑封料中吸收的水分
' a2 e' U3 |$ e, u2 V3.塑封工作間濕度較高時對器件可能造成影響;
& t" C$ z) g; H8 ~: n4.包封後的器件,水汽透過塑封料以及通過塑封料和引線框架之間隙滲透進去,因為塑膠與引線框架之間只有機械性的結合,所以在引線框架之間難免出現小的空隙。$ k. W% R9 R. c8 T3 c  ?# s' u" S
備註:只要封膠之間空隙大於3.4*10^-10m以上,水分子就可穿越封膠的防護
0 V+ O% z% k9 r3 ?備註:氣密封裝對於水汽不敏感,一般不採用加速溫濕度試驗來評價其可靠性,而是測定其氣密性、內部水汽含量等。
3 ?( V  _$ M7 g" [  d. K; l: a5 f% W4 C5 S
說明:PCT試驗一般稱為壓力鍋蒸煮試驗或是飽和蒸汽試驗,最主要是將待測品置於嚴苛之溫度、飽和濕度(100%R.H.)[飽和水蒸氣]及壓力環境下測試,測試代測品耐高濕能力,針對印刷線路板(PCB&FPC),用來進行材料吸濕率試驗、高壓蒸煮試驗..等試驗目的,如果待測品是半導體的話,則用來測試半導體封裝之抗濕氣能力,待測品被放置嚴苛的溫濕度以及壓力環境下測試,如果半導體封裝的不好,濕氣會沿者膠體或膠體與導線架之介面滲入封裝體之中,常見的故裝原因:爆米花效應、動金屬化區域腐蝕造成之斷路、封裝體引腳間因污染造成之短路..等相關問題。
4 o4 U7 ^5 M( B1 C2 C3 ?6 H目前測試有兩種.一種為飽和蒸汽.既測試條件為121度,箱內壓力為2.04個標準大氣壓.其內部濕度在一般能保證在100%.測試時間分48H和96H兩種.主要應用於LCD和被動元件等封裝元件.
, w; r" |$ h5 _# {* m2 v, k另外一種為非飽和蒸汽.即在溫度高於100度時,箱體內濕度可以在70%-100%可以調節控制.此設備架構比較緊密,價格相對來說比較高.目前市場上好像日本的TABAYI,和德國的可以做.國內有這樣的設備廠家也為數不多!
4 E1 a$ z5 z  ]: {6 L & N8 o: c( C" |8 D# t& ?4 X
飽和蒸汽測試應符合:GB2423-2-1-89 、 GB2423-3-2-89
0 K* A1 d) y1 x2 q& |  ?' i, W / j- T. d& F3 i: g
不飽和蒸汽測試應符合:IEC-60068-2-66
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