一些Layout的問題

Oo海闊天空oO

請問各位業界或是Layout達人們...
0 s; l# N+ C! }( Z, e9 `5 Q
有幾個LAYOUT的問題...一直在我心中是一個問號...

8 Z9 W& v& O) j& C. e% o1.在LAYOUT時..直接用Metal2跨越一顆MOS上的每一層..(包含Poly, diff)
   會有什麼影響??
* p) _3 e$ H' \6 p6 l' Z
* C7 ?$ t8 I% E7 D. t, P. W因為在平常我們畫的時候..都會覺得這樣不好...一定會盡量避免..
但是在詢問過業界的幾位資深LAYOUT工程師...
/ Y4 p' k4 {- t( E$ i2 B( o' D/ B他們都很大方的跨過去...
所以到底...跨過去真的會有很大的影響嗎??

- G6 K7 ?& i  x/ C, J; x5 i  I2.在畫GUARD RING時,有P跟N的畫法...
   假設兩層都畫...那是否有誰在內圈誰在外圈的順序??
" ?" D6 E5 ~& k   或是順序都沒差??
   另外就是..真的有必要化到兩層嗎??
, W9 a4 I5 b3 W
( U  _1 j4 h, O* f- y- T3.在畫並連的BJT時,很多嚴討會的講義都會教說..畫成九宮格..或是正方形畫法.
   特別是在設計bandgap時,將BJT設計成8:1,layout時畫成九宮格..
   但是最近聽某個公司的主管說..這種話法並不是最好的..
1 w3 Z9 ~3 J& @. ?$ Q/ x   那請問哪種畫法比較好??

Oo海闊天空oO

原帖由 m851055 於 2007-9-3 08:09 PM 發表
9 H- k3 e% P, O1.在LAYOUT時..直接用Metal2跨越一顆MOS上的每一層..(包含Poly, diff)
9 b0 P2 Z# d5 [* ^& @8 Q! s) ?* I   會有什麼影響??
: q  j: g6 l& F9 A
4 S$ r: m3 k1 [1 `- i-->在RF及analog時才須特別注意，一般CMOS差異極小。
" g8 g1 G' H! ]
2.在畫GUARD RING時,有P跟N的畫法...
   
) G. I8 W1 a5 J* \$ l/ @-->PMOS N-rin ...

+ Q) u$ ^2 b4 b/ z& U
/ P" O5 u2 o  E$ r! _這位大大可能有些誤會...
BJT的畫法當然是正方形的沒錯..
8 K& x* i, W+ j$ w- ?8 s: n- R8 m我們說的是...9顆BJT的擺法...
把九個正方形排成九宮格形式..
, h9 k$ q4 c) K, ?$ L( P或是其他形式...哪種會比較好..

Oo海闊天空oO

原帖由 blueskyinair 於 2007-9-5 02:27 PM 發表


5 z- A" R+ G0 u* f# @. G根據教課書的推導
Vref=A1*Vbe+A2*VT*lnN
dVbe/dT=-1.5mV/K
dVT/dT=0.087mV/K
% u% V) R; d+ m5 L" I假設Vref與T無關,且A1=1
5 i$ C& ^$ h* e" n+ w1 T0 T+ B推得A2*lnN=17.2
其中並沒有說9顆BJT為最佳,甚至教課書中以31顆做為範例
請問f大是在哪裡看到" ...

其實我絕得並沒有限定說..BJT的數量一定要是8:1...
/ \1 X- B) ?5 Z& n- u0 [但是以我自己的想法來看...
畫成九宮格形式的原因..
我想大概是溫度變化會較一致....
因為bandgap最重要的就是溫度變化的問題...
1 C; n' b8 [7 }4 X& H( m用九顆...我想是最能達到matching的效果...
5 ^! d$ w& f0 s# x* T' T這是我個人的想法...
0 J6 P! L6 a8 I) {6 O( U
但是不知道副版說的理論基礎是如何