安森美半導體進一步擴展IGBT系列， 推出基於第三代超場截止技術的1200 V元件 ...

推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ON)，推出新系列絕緣閘雙極型電晶體(IGBT)，採用公司專有的超場截止溝槽技術。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG的設計旨在提升工作性能水平，以符合現代開關應用的嚴格要求。這些1200伏特(V)元件能實現領先行業的總開關損耗(E_ts)特點；性能表現的顯著提升，部份歸功於極寬的高度觸發場截止層及優化的共同封裝二極體。

NGTB40N120FL3WG的E_ts為2.7毫焦耳(mJ)，而NGTB25N120FL3WG的E_ts為1.7 mJ。兩款元件在各自額定電流下的V_CEsat均為1.7 V。NGTB40N120L3WG經優化提供低導通損耗，額定電流下的V_CEsat為1.55 V，E_ts為3 mJ。新的超場截止產品與一個具有軟關斷特性的快速恢復二極體共同封裝在一起，並仍提供最小的反向恢復損耗。NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120FL3WG非常適用於不斷電系統(UPS)和太陽能逆變器，而NGTB40N120L3WG主要針對馬達驅動應用。

安森美半導體功率離散元件分部高級總監兼總經理Asif Jakwani說：「我們把新的超場截止IGBT配以優化的快速恢復二極體達到最佳狀態，完美地平衡了V_CEsat和E_ts，從而降低開關損耗，並增強硬開關應用在寬範圍開關頻率的電源能效。同時它還提供工程師期望從IGBT獲得的穩健運作和成本效益。」

封裝和定價