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大聯大世平集團推出基於onsemi產品的5G基站電源方案

2022-8-10 12:36 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 354| 評論: 0|來自: 大聯大控股

摘要: 大聯大世平推出基於安森美(onsemi)FAN65008B同步降壓IC的5G基站電源方案,相較於使用外部MOSFET方案具有更低的振鈴和更低的電磁干擾性(EMI),及具有可調過流保護、熱關斷、過壓保護和短路保護等功能,可以保護器 ...
致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股宣佈,其旗下世平推出基於安森美(onsemi)FAN65008B同步降壓IC的5G基站電源方案。


圖1:大聯大世平集團推出基於onsemi產品的5G基站電源方案的展示板圖

5G時代的到來,從根本上顛覆了現有的傳統通訊方式,它加速了現實社會與互聯網空間的快速融合,讓人與人、人與機器的交互都步入了一個全新的水平。而發展5G的一重要目標就是在提高訊息傳輸速率、減少延遲的同時,節約能源、降低系統成本。隨著5G訊號大規模覆蓋需求增大,大量5G基站的建設已迫在眉睫,這勢必會為電源市場帶來新的機會。順應此趨勢,大聯大世平基於安森美FAN65008B同步降壓IC推出了5G基站電源方案。


圖2:大聯大世平集團推出基於onsemi產品的5G基站電源方案的場景應用圖 (圖/大聯大)

安森美FAN65008B是一款高性能同步PWM降壓穩壓器,其集成了高邊和低邊功率MOSFET,支援從4.5V到65V的寬電壓範圍,能夠處理的連續電流高達10A。此外,onsemi的PowerTrench MOSFET工藝與領先業界的封裝技術將FAN65008B集成在一個四方扁平無引線(PQFN)封裝中,能夠在電源路徑上提供極低的寄生效應,使開發人員能夠實現98.5%的峰值能效。這意味著使用FAN65008B比使用一個外部MOSFET的方案具有更低的振鈴和更低的電磁干擾性(EMI)。除了上述特性,FAN65008B還具有可調過流保護、熱關斷、過壓保護和短路保護等功能,可以保護器件本身和任何下游電路不受損害。


圖3:大聯大世平集團推出基於onsemi產品的5G基站電源方案的方塊圖 (圖/大聯大)

在5G技術發展如此快速的進程中,基站電源要兼顧低成本、高能效以及方便極簡、快速部署的需求,大聯大世平聯手onsemi推出的5G基站電源方案針對市場痛點進行優化,能夠滿足行業需求,助力5G基站建設快速推進。


核心技術優勢:

  • 寬輸入電壓範圍:4.5V至65V;
  • 連續輸出電流:10A;
  • 具有輸入電壓前饋的固定頻率電壓模式PWM控制;
  • 0.6V參考電壓,精度為0.67%;
  • 可調開關頻率:100kHz至1MHz;
  • 雙LDO用於單電源操作並減少功率損耗;
  • 用於輕負載的可選CCM PWM模式或PFM模式;
  • 寬工作範圍的外部補償;
  • 可調軟啟動和Pre−Bias啟動;
  • Enable功能具有可調節的輸入電壓欠壓鎖定(UVLO);
  • Power Good指示;
  • 過流保護、熱關斷、過壓保護、欠壓保護和短路保護;
  • 高性能薄型6mm x 6mm PQFN封裝;
  • 無鉛且符合RoHS標準。


方案規格:

  • 輸入電壓範圍:30V至60V;
  • 輸出電流:10A;
  • 輸出電壓:24V;
  • 輸出電壓漣波:40mVp-p;
  • 切換頻率:300kHz。


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