意法半導體的溝槽式低壓MOSFET STripFET™ F7系列將擴增60V的產品線，可協助電信、伺服器和桌上型電腦的電源以及工業電源和太陽能微逆變器的DC/DC 電源轉換器達到嚴苛的能效標準、最大幅度地提升電源功率密度。
STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了導通能效與開關性能，還簡化了通道間的溝槽式結構（trench-gate structure），實現極低的導通電阻、電容及閘極電荷，並取得優異的品質因數（RDS(ON) x Qg）。此外，本質二極體的恢復電荷（recovery charge）非常低，有助於提升開關性能。高抗雪崩特性及耐用性確保了在惡劣條件下的穩健性能，反向傳輸電容對輸入電容（Crss/Ciss）的比值低，有助於強化抗電磁干擾（EMI immunity）。 意法半導體的60V STripFET F7 MOSFET是為同步整流（synchronous rectification）電路所訂製，能以更少的平行元件達成最大目標電流，藉此提高功率密度、降低元件使用數量。該系列共有12款產品，涵蓋了所有工業標準電源，最大輸出電流從90A到260A （在Tc = 25°C下，矽限制連續汲極電流）。新產品提供多個封裝選擇，包括PowerFLAT™ 5x6、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、２針腳或６針腳H2PAK。 |
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