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新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平台已成功量產

2015-5-5 04:50 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 1200| 評論: 0|來自: 亞太商訊

摘要: 華虹公司推出保有1P1M優勢的新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平台,優化高壓器件模組設計,並整合多種中壓與高壓的功率LDMOS,滿足不同電壓應用需求。 ...
在全球節能環保的大趨勢下,LED綠色照明已經進入快速發展期。據相關機構統計,LED照明集成電路市場預期將由2013年的7億美元增至2020年的15億美元,年複合增長率為11.8%。尤其是,中國LED照明的市場滲透率目前僅20%-30%,可見未來市場規模巨大。

針對諸如AC-DC轉換器和LED照明等綠色能源的應用,華虹半導體近日宣布其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平台已經成功實現量產,良率超過98%,達到國際一流水平,由於具有低導通電阻、高可靠性、低成本和流片週期短...等特點,可望能協助業界進一步提供更具競爭力的單晶片解決方案。

據業者表示,新一代0.5微米700V BCD工藝是基於2013年第一代1微米700V BCD工藝升級開發而成,在保持原有1P1M(1層Poly,1層Metal)最少版次12塊的低成本優勢基礎上,進一步整合7.5V CMOS和20V/40V的中壓LDMOS以及高壓200V/300V/400V/500V/600V/650V/700V的功率LDMOS,豐富了超高壓電壓系列選擇,以滿足不同電壓應用需求。

該解決方案可為啟動電路提供差異化的結型場效應管(JFET)及高壓電阻器件,還可提供雙極器件晶體管(VPNP/LNPN)、高精度電阻和電容、低溫度係數齊納二極管等豐富的可選器件,更加方便客戶設計開發使用。同時該工藝解決方案優化了高壓器件模組的設計規則,特別針對超高壓器件特徵導通電阻進行改良,其核心的700V DMOS器件特徵導通電阻達到國際領先水平。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示:「超高壓700V BCD技術迎合了節能環保熱點,此工藝平台所支持的高壓小電流LED照明驅動應用市場發展前景十分廣闊,預料將有利於LED照明的先進差異化工藝技術組合,製造高性能、低成本的LED驅動IC。

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