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[問題求助] noise figure simulation problem

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1#
發表於 2007-9-10 14:41:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟最近在做元件的noise figure simulation  發現一個很奇怪的事情" Q+ t9 S  A' r: F6 O- K
       9 U- t9 y- ?& a5 P
我使用的是0.18um的model card 跑的是RFNMOS/ s' ~% q- v: v2 b
其中core的部份所使用的是 bsim3 version=3.24的model- u% C4 t5 }) |$ H) ]+ V$ j; Y
令我不解的事情是 我使用ic 5.0.33與 ic 5.0.41所跑出來的結果不一樣9 B# W2 x* [2 U4 @3 C
從結果看來 應該是ic 5.0.33與 ic 5.0.41造成的
6 @4 {/ f; B* ?; W7 w但是所算出來的noise figure不是由bsim3v3的model equation所決定的嗎??. Z5 c7 }7 i! d" ]: D
- a( `! ]7 M7 N8 `' F
另外, 如果我使用ic 5.0.33
( D" ^; C+ M+ i8 z5 j; a4 O* \我在CDF中鍵入m=3 (即multiplier=3)       
2 G* V) B" b8 T: m/ |6 U5 x5 b跟我用m=1 自己手動拉三個mos的symbol出來
. x- U+ |" P! |/ R- Dnoise figure的結果也會不一樣 (其他如iv, spar都會一樣)# }4 i- n+ o6 a. Q# E  Y/ E" q

7 Y: @- z$ p; W) b: a
1 S9 I9 D% m# v  U* V不知道有沒有人有類似的經驗可以分享: x* F4 l* N# ]6 W9 m6 F
感謝~~
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2#
發表於 2007-9-11 10:42:01 | 只看該作者
手拉和m=3當然不同,因為rf model為更精確的model,m=3之時,layout 會是3個mos一個gaurd-ring,手拉的話,則是3個mos各自有gaurd-ring,
6 ~# g% _# G4 t$ ]- O8 O$ q/ j$ D當然不同.
  R0 `) u( X8 P1 n' d3 m使用不同版本的simulator,會有不同的結果,沒有遇到過,不過要看你的設定是否因不同的版本而有所改變.
3#
 樓主| 發表於 2007-9-11 14:43:09 | 只看該作者
layout的時候 三個MOS用一個guard ring圍起來跟 個別的guard ring圍起來 的確會有不同沒錯8 G4 [' i/ E6 e. n
     但是現在只是用model作simulation  它如何知道我要怎麼拉線
# a) Q: y3 I6 e: t8 n! [     simulator(或者PDK)是怎麼控制讓它跑出來的結果不一樣呢??
1 }' a& w( q& ?% L
- |( a. L1 ]3 x: Y  |% |     至於版本的問題   我的整個模擬環境都沒有改變  單純只是版本的不一樣- `' K0 h' c, U. O; n' D8 D6 ?
     不同的simulator跑出來的結果不一樣  還算正常
4 h; l) b- }8 F. s3 J; I     同一simulator不同版本的結果不同  雖然不是不可能  但是還是很想知道差異到底來自何處+ j! |; R4 }7 t: e
     我使用的是bsim3的model 照理講 模擬的結果應該是由bsim裡面的code來決定  不是這樣嗎??
! @1 W  n1 d* T& [4 ]8 \     (我指的是IV跟thermal noise or flicker noise等 model code裡面有宣告的方程式 非Spar)
4#
發表於 2007-9-21 11:16:16 | 只看該作者
PDK 的RF model是直接可以產生MOS的layout,所以RF PDK已經有考慮此一問題.
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