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"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"' v; @8 ?; T2 d' {7 O4 c8 t
這種架構就類似於Diode-connected Transistor5 u1 s3 ^! f- ?& A+ v; y; v
二極體接法形式的電晶體
" E' s5 s4 o4 B& `這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值) \. W+ t# V4 }* b; y$ y G$ p9 w% O- V
但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
, o( x2 _3 i! p. j公式的表示方法也不一樣* n, q) }. y, f6 p
操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的' J* h! G/ G% s% g7 B! ?! q9 \. f
8 j3 k$ X+ N; Q) `
而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
- u8 s. B8 q& N0 c4 M- H w J: }5 l利用P-N junction的特性而已: u! x9 a, q2 X) S+ A- ~) m
/ n: H& W/ N3 v& {! I/ [4 S( l u所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction/ D. a0 M( B. x0 w0 W3 U! S
應該也會跟BJT做出來的有類似的效果 I; S1 I E7 o% n
4 U# v- I% o% k但是何者較穩定就不保證了2 f4 y& H$ w0 s6 U9 }
5 ^ n! U3 ^7 \因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
, m1 _: n5 l' Q- E$ I* ]它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT |
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狗仔卡
發表於 2007-10-1 17:36:11
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