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小妹想重新發問問題如下:' W9 I, p; V( I- `. [7 T# w, m
1. 專題題目是高性能低功率的全加器5 v5 l3 U9 I. |3 m# z
小妹目前已知高性能低功率的全加器應該有的特性如:功率低、工作速度快(總傳輸延遲時間 % A- g- A" B) O0 m( ?5 K# v
短)、扇出數 多,小妹只知這3樣,請問還要加強那些方面性能才稱的上是高性能?$ G( z' y' c& P' h& B) m
2. 調整mos的w使得r 變小 ,於是功率上升
) M% _' H" x, ? 小妹想請問 可以讓電路功率降低的因素有那些? 雖然w加大 p越大,但因為w增大而產生的寄生
1 v5 o0 s, i! r! K T8 g+ ]* _! G 效應越嚴重 會使c 值上升 拖慢了工作速度!
) O, y+ H% \0 m( `) R2 P7 \ 小妹只知佈局的面積小或是電晶體數量少 可降低電路功率!, j* q9 H8 m( E0 ]" I" {0 v
3. 請問有大大能拜託告訴我 TG XOR 這個利用傳輸閘組成的XOR 那裡有網站介紹電路工作原理及 3 O0 D5 z: s; y$ }4 h# B
設計嗎? 因為我看不懂 它是怎設計出來地? 雖然照真值表輸入可得到要的輸出值,但它怎設計的. @4 j; M0 s, I) \/ I. R3 [! g8 W
有大大知嗎? 我查到除 TG XOR外 還有TG OR 但查不到TG AND ,如果我能知它怎設計的,那
' U8 @6 x, Y* x* a* m& u/ L TG AND 應該我能自已推導設計!1 i3 T2 m. |) z/ ?$ o
小妹是想將全加器的大部份邏輯閘利用TG 來簡化 MOS 開關的總數,希望藉此降低功率及工作- b7 e. {% y4 x6 T9 U
速度9 Y' k, f0 o0 s8 N i8 T O
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