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原帖由 finster 於 2007-9-10 01:05 AM 發表 ![]()
0 r0 z" c6 @6 P9 K: k至於另外一篇有探討到emitter area=10*10um^2的BJT的比較,因為年代有點久,我還得再找找,我印象中有幾組不同size的比較,至於有沒有比較出10*10比20*20甚或50*50的值,我不敢說有或者沒有2 g- k( ]; D9 K+ g- l" s
J# q' j% n9 J7 d再回答一下問題
# U9 X* h' I w; o在我作過的Bandgap circuit中,曾下過UMC和MXIC以及Charter,在作post-sim時,抽完LPE的BJT參數和沒抽之前是一樣的,而這表示其實製程廠對於在CMOS製程裡對於BJT並沒有辦法作太多的寄生效應出來,所以所抽出來的LPE才沒有太多的參數,故而製程廠所提供的SPICE Model準不準就變成是一個很重要的課題了, i9 w6 g) f" Y0 V. i( s5 \+ P
再者,在CMOS製程裡,主要元件為MOSFET,理所當然在MOSFET所抽出來的寄生效應會比較多參數可供參考,如果是在BiCMOS製程,我想BJT所抽出來的LPE參數應該會多很多吧
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最後,我曾和製程工程師以及一些資深電路設計者談過,在CMOS製程裡作出BJT,那是一種近似的BJT,而在Bandgap circuit中,我們要用的是BJT對溫度的變化,而不是BJT的電流特性,故而在設計Bandgap circuit中,所在意的是溫度與電壓變化對於Bandgap voltage所造成的影響有多少,所以,在SPICE Model中的BJT,主要看其溫度係數變化參數而不在意其電流增益,所以,很多BJT參數是可以被忽略不計的
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" l7 Z1 q0 N) v) p$ Y6 d9 E! {+ H關於1:8的問題,附件檔這篇之前板上有分享,所以我有大略的看過
4 O8 w* W6 o2 x比較不清楚的部份在於它說當N增加時會增加更多的error,卻沒有說明發生的理由與增加多少時此error的程度有多嚴重
# l- U( k1 I9 R" i9 F在A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1V Operation這篇中是使用1:100' _" @% j% u! h4 M
在A sub-1-V 15-ppm °C CMOS bandgap voltage reference without requiring low threshold voltage device這篇中是使用1:64
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關於size的問題,我想知道的是10*10是不是當時比較的幾個bjt中最大的size1 e7 `* i+ i6 g' ]4 I* j
如果是,比較好解釋;如果不是,我想知道原因為何& I/ L# `" }7 n3 K/ {
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至於bjt在lpe後並沒有抽出額外的參數,我想應該不能解釋成製程廠無法作出bjt的寄生效應9 X& ^0 ^4 h M: u
因為以電阻來說,在lpe後電阻也同樣抽不出tc1,tc2,vc1,vc2,但這些數值卻是spice model中有明確定義的
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, {0 t l5 u. x4 U& c4 U5 J至於area這個參數要不要設,我是從以前就沒看過有人在設
" h8 Q5 `0 E P( Q只是最近忽然看到hspice manual而想到這個問題 |
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狗仔卡
發表於 2007-9-4 01:49:58
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