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1.在LAYOUT時..直接用Metal2跨越一顆MOS上的每一層..(包含Poly, diff)* L1 b+ Z$ F# X$ }
會有什麼影響??# \5 q+ p% s. i+ \3 {2 v
1 V' g- B6 b/ V, {3 E4 m9 y; ]在類比電路會產生雜散電容電阻不宜跨越,但在數位電路較不會影響
. ^$ S7 {' n& G6 i
; s; S3 H* s9 a- f% `( `8 m2.在畫GUARD RING時,有P跟N的畫法...
6 O9 t! `+ y, p" L 假設兩層都畫...那是否有誰在內圈誰在外圈的順序??
2 F* A( ` O2 W" u- @ 或是順序都沒差??
, }% a7 G0 G1 F# E0 A* y 另外就是..真的有必要化到兩層嗎??
3 X: ]% \9 y T! j
O n% g! b/ B1 |: Q個人常用做法是Nwell Ring再外當壕溝阻隔其他Noise以防干擾,並再GUARD RING下加入MOS電容效果更好- u; |$ H# K. C" D$ F
: T5 u- X [5 Y! \+ `1 c! C) [# x
3.在畫並連的BJT時,很多嚴討會的講義都會教說..畫成九宮格..或是正方形畫法.
3 s0 w; i3 U, x( d8 V 特別是在設計bandgap時,將BJT設計成8:1,layout時畫成九宮格..0 h6 w9 W. R" v
但是最近聽某個公司的主管說..這種話法並不是最好的..( P; t$ o T, o1 C
那請問哪種畫法比較好??
! o/ r2 @( ~* T ?1 @; ?' p: T3 |1 J2 N8 y6 R
這個問題無法答覆因為目前個人也是畫九宮格對稱 |
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狗仔卡
發表於 2007-8-31 00:02:57
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