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我補充一下我的看法:
3 y% ]& t, E. W- R2 ?& V ^- Y7 w! ?2 i9 z* `6 a# Y: Q1 }
1.在LAYOUT時..直接用Metal2跨越一顆MOS上的每一層..(包含Poly, diff)8 e+ R# w0 V% o* B3 t- Y! X |
會有什麼影響??8 ?; u5 J, o" |9 S/ W. [
( k% Z6 F5 j+ C8 z0 S8 s0 q- L
你們資深的Layout工程師跨的的MOS應該是不重要的 例如數位的MOS之類的
# G% P' C' F8 Q( n$ A類比的MOS在上面跨Metal基本上是不好的 除了雜散電容增加外 5 d8 Y2 d& \% u Z
因為Metal本身電壓的訊號會去干擾到Poly電壓 然後就干擾到類比MOS的運作" ^. T; }! v* d8 V- Y/ g9 G0 v6 t
- x8 k2 W" H! w' B# S* O! Y
2.在畫GUARD RING時,有P跟N的畫法...
7 |) h' s+ C' R0 L9 L 假設兩層都畫...那是否有誰在內圈誰在外圈的順序??! |" u# G7 M/ X P
或是順序都沒差??
9 E# ]5 Z; W8 @% |# L0 f- O 另外就是..真的有必要化到兩層嗎??. W$ f1 c9 q# m2 S
0 P8 c, w3 y0 D- _: c
真的是很care noise的話就可以畫兩層 例如很敏感的元件如VCO等等" o5 b4 u+ z& g$ \! P- C* l# H
聽我們主管講是說兩層 一層P一層N 一個是吸電洞 一個是吸電子5 Z7 f9 _3 J, N. I; A# _3 m* W
通常NWELL圍在外面當護城河 所以就是N在外面
8 u4 U6 m, y5 C( h. E( o. B
; C2 m+ N3 ~; `6 y/ J: S另外請問一下小朱仔說的GUARD RING下加MOS電容是什麼意思呀 |
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狗仔卡
發表於 2007-8-31 10:43:51
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