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提供一個之前用的方法, ! @8 U! I- ]+ `4 Y2 J# }
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
; f, {- [* ^7 \6 V- c在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,1 M% g h; V2 P4 N1 t
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
% K- t3 Z$ X: c5 O* L9 H0 v# a* f* X$ Q) y" a- d, \
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
& ~ Z0 n9 S, A& p- U在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]- d9 L, x/ g; I% A5 E8 ?4 O: `
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
8 a, C' P+ [- J! S故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)/ ?( D$ R- _1 y4 ?7 Q! v
. p3 z/ Y& f3 u! {3 C1 @; E
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值3 M3 L. q& R5 i, i
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]. Z& m" s8 H' i1 @- W
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
* \; O) D, D4 B! Z* }+ E4 X3 K/ F+ |% G+ B! `+ N. }3 d: p
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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