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提供一個之前用的方法, " k/ |. a7 p2 G& J5 t7 z# _
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)3 I1 m/ o4 y; R5 T
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
) }; n8 b/ n2 ?7 C. J/ P' x+ P& sVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値8 U" ]+ G7 A2 B3 s
2 o2 |9 z& r' {( Q/ U; g
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
% h( i m/ e! a2 \5 r+ |- B5 Q+ p在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]5 g: Q% @! i8 T* W
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
% j6 J6 H b5 n# g ?故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
' i9 `" v% Q6 _: U
; Q; x0 f8 B- W) y4 {將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值, H8 b5 S0 J b& O
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
; i% R$ a" T% h1 G( D( S( B- D+ X = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]: X+ x: {; q9 B
9 E/ P: p4 Y1 G' x之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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