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提供一個之前用的方法, , U# }1 D0 _! v( A
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
5 o3 a; i! y, [# z" a在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
/ Z0 Y# J4 Z- J7 U: A% E6 y& i K$ Y+ OVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
- J) M" z9 {8 K% c9 u% b4 k1 D
% R" `* V7 d+ Q+ M- r由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)3 `3 @0 V0 j+ e2 Z2 d- d
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
$ j/ S2 I% C+ J- Y由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)7 U% C9 U( \8 U, a
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
/ `4 e0 Q: @( M w! P: t2 x. z% @! v5 F( y1 [. p$ D: }8 h
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
6 A+ Q1 U0 Z @1 l9 w( xKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
# }, _0 `/ e q+ A0 T, k- Q" O = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
( D5 K! ^3 k0 d) l! k7 |4 ], m; x6 `6 {3 m; f1 t
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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