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提供一個之前用的方法,
/ g4 V9 r& D& G7 L4 l# K7 G" U5 h由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
2 _# l4 { G; y+ b& E在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,3 ]. @7 l) V, u6 c0 R8 z
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値) A7 Y X/ X- _( M- ~6 \
1 W1 ?: r9 A, n1 e: w* @* T7 u
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)8 a+ p. U% f b/ ^: ~" `9 k
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]0 h1 M5 X* Y% O
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)) a6 m' r& I* j" N G! l9 W
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)& d l) |3 H: e8 p; m% Z
2 ^" l/ o5 O( j0 \* S+ I3 `將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值/ \7 t ^% ~1 F' N) o. s/ n
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
, j! c9 u" i, N$ Q& @8 u% E' l = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]" |3 m4 U& e, \) @. t1 H5 K5 p, ~
% S/ B7 B0 ^0 m# z& l# t, P! K6 @之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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