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提供一個之前用的方法,
6 L2 L* r/ h3 I由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)' Q& \: H4 |8 b
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的," C$ s2 V7 V7 Q% Z- T+ A3 ?% ]
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値. E0 b+ n' a4 D0 j
% J* z8 I. N6 [9 @$ \4 W( Y
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)6 d2 K. I E* d' n8 I) Z& v
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]2 s" o! K8 h$ H1 |9 N
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)" X* L; v, z& I2 n
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
$ i# m% f( W! h1 A; D6 f }6 k4 Q
2 Y% q( M$ H& `3 L9 l將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值4 C$ ~- Z% \3 d6 t
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
) [( I. T, t# x3 Z* B' |: s = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]# C! a) F7 @, j* P R
9 o2 A( y" R2 _4 w之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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