e-fuse?

fashion100

The information of eFuse is useful for me ~~~

kivv.zhou

The information of eFuse is useful for me

sam7186

回復 2# finster

: T& V1 ?+ v! Z% J# ?
    感謝分享,最近剛接觸收益良多

andy2000a

e Fuse 就是FT TRIM 方式 因為 PACKAGE 後BANDGAP 電壓會飄 6mv (paper)   所以如BANDGAP RFE 要準到 1MV

8 `2 z- D: ?! E, j! T, {0 z5 k得如此
: h, y: Z6 {% }/ p9 j- u) a
1 H" i0 A/ S$ G$ @2 u3 V0 ^一般 使用 POLY FUSE 燒有RISK是萬一第一次沒燒斷變高阻抗就燒不了
8 q' f' u" P4 L) BMETAL FUSE 當EFUSE 是可以 但是  VANGUARD 本身有IP  有提到如果 每次READ 都留電流會慢慢燒EFUSE

& A$ ~9 f" |* U0 v+ y一般做法是POWER ON 先READ 後就不再去讀E FUSE 可降低問提
還有 FUSE燒 on  off  impedance 要有資料
1 m! H! T, p+ e
VANGUARD 有

cchanglouis

感謝各位無私分享, 請問有無efuse SEM照片可分享.謝謝

& B* [8 Z$ ?/ m3 F2 OLaser fuse 可用高倍率顯微鏡看到..但願還沒看過efuse的..

memcad

回復 11# emcthomas
/ I9 I* B* _) e, a) J' c
! R3 U: Y$ S' L/ k/ Z6 M1 O
    OTP工艺太贵了，目前用Poly fuse的多，注意trim电流要大于10mA以上，trim路径上的电阻要够小。

jackrabbit

感謝大大提供e-Fuse的資訊，學習到了！
' F4 Z2 G- N6 n6 ], h4 @雖然公司也使用了OTP，但royalty貴的很，還是自己做e-Fuse比較實在 ...
" W$ I/ N' @1 }. h3 |. ~billycsu 發表於 2013-1-24 01:54 PM

0 E. r- v( B; K4 O
9 [! a, o; b1 b2 t$ s剛好看到這個討論
e-fuse自己做, 風險很高!! 光是 reliability 就是個問題~
大部份的人都認為燒斷之後就是兩端沒接上的意思, no!
8 g; d5 o& d7 \5 U0 |2 Y這個"斷"並不是真的就完全開路, 除了可能斷不乾淨之外
5 b3 Q" H. |+ @. ^+ x還有recovery的問題!
可能chip用了一陣子之後你會發現讀出來的值錯了, 原本斷的fuse又接上了!
這種事只有親身遇過才知道....
. a6 ~; g- @8 ^9 s/ N$ T4 v: s至於原理可以去查查 failure analysis 的書
; I% U( j3 G( A  _
前陣子剛好有機會跟某製程廠的IP部門副總聊到這個問題
他也confirm了這點~
2 Q) Q% v, Y; K- x/ `) n他特別強調使用IP一定要在spec上的電壓/時間範圍/sequence下操作, 他們才guarantee
所以為了產品的reliability, 有些錢還是得花....

張宥駿@FB

感謝分享解釋得非常清楚。

AIC6632

多謝大家的詳細解說
/ S7 o$ a" l4 L, O小弟做test key失敗好幾次
果然沒有ＦＡＢ幫忙
要花很多時間

zyh

谢谢各位大佬，有用哦~~~~~