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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Analog/RFIC討論區 › e-fuse?
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[問題求助] e-fuse?

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sjhor
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1#
發表於 2007-8-22 16:35:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
最近常聽到 efuse! 所以想問一下有試用過的人!!
$ z1 v8 t$ F. c* u3 j其原理和優缺點是什麼唷?5 u5 O7 y3 t/ T% U* O
一個好奇的人想要知道唷!!# X* g  |% |; W1 A8 q& b& t9 q; ?8 c! m

2 ?6 Z( X, c4 s' M' z- @9 K以下是 Fuse & Trim 的相關討論:
8 @$ t- ?+ ?+ T& ipoly fuse 的問題 & W" k! K, E0 r! l" D$ f
poly fuse 大約多少能量便可以燒斷?
7 J  \0 k  c3 l" i# g如何判断poly fuse 已经blown  
9 b: I$ g' a& m8 k* A( K5 M4 u' e有關poly FUSE的不錯paper給大家參考  
& p9 H3 m3 C. ILaser Trim
& s+ C0 W' V1 W" n3 V& _* t! X做完laser trim後內部的電路被打傷的情況嗎？  ! J4 d1 B7 `$ x7 }8 ?
Trimming method?   
1 q& g3 O3 [5 Q# d, X; u/ w5 O" P0 RCurrent Sensing Resistor Trimming!!   7 R) ?3 `* j6 e0 z6 [% @# B
请教做laser trim的注意事项  0 N9 D  F) u, z2 b5 h
Current trimming 要如何做呢?  
9 _& t5 P" s4 t. G- f6 Q( l% o" G
* v' q; V8 k% N, Q* H( ?" \4 R

* A! p, J2 F* _- F: y) c) J9 S- o% M3 s  G, m
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:40 PM 編輯 ]

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zyh
50#
發表於 2023-2-14 09:07:10 | 只看該作者
谢谢各位大佬，有用哦~~~~~
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AIC6632
49#
發表於 2015-10-26 23:02:01 | 只看該作者
多謝大家的詳細解說- x: c$ T, @! P1 [" N7 L
小弟做test key失敗好幾次0 d/ ~7 G; n6 L. L6 [/ R, h
果然沒有ＦＡＢ幫忙, S6 O- }4 D  M0 v% |, z; N
要花很多時間
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48#
發表於 2015-10-26 14:57:34 | 只看該作者
感謝分享解釋得非常清楚。
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47#
發表於 2014-7-30 15:29:55 | 只看該作者
感謝大大提供e-Fuse的資訊，學習到了！
8 u9 t* A3 k: j0 @雖然公司也使用了OTP，但royalty貴的很，還是自己做e-Fuse比較實在 ...# w/ Z9 G1 ]0 ^- K" z& I
billycsu 發表於 2013-1-24 01:54 PM
. _/ v- ]6 H6 S/ h$ }
0 v8 }; V$ p( T
剛好看到這個討論! ~9 N- l' p* U% H5 \3 e' P% t  L6 v
e-fuse自己做, 風險很高!! 光是 reliability 就是個問題~
. ?  T  k: q9 r' l大部份的人都認為燒斷之後就是兩端沒接上的意思, no!
1 B  R% s5 B& F2 v) i這個"斷"並不是真的就完全開路, 除了可能斷不乾淨之外
4 U# r& M; f+ ^% I. E0 G還有recovery的問題! ! |( p4 o) l. T" S* V9 ~/ Q/ S
可能chip用了一陣子之後你會發現讀出來的值錯了, 原本斷的fuse又接上了!/ R9 Q7 D5 f3 J! a
這種事只有親身遇過才知道....( l  {) U; A& e% h% r
至於原理可以去查查 failure analysis 的書
5 p+ ?& ?$ V  [0 `# \& U
6 K" j7 {- R  D+ [/ ], N前陣子剛好有機會跟某製程廠的IP部門副總聊到這個問題2 y5 C( H- F: i, }3 O5 |5 Z( H
他也confirm了這點~$ ^1 U& j( X, m* Q: c
他特別強調使用IP一定要在spec上的電壓/時間範圍/sequence下操作, 他們才guarantee 3 o2 A; |  \/ y# E; f
所以為了產品的reliability, 有些錢還是得花....
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memcad
46#
發表於 2014-7-23 09:53:18 | 只看該作者
回復 11# emcthomas
' J: w5 h. O. x" ?/ I/ ?. F' P, y5 g4 Z: G: V$ ?/ X
: i7 @( _  k9 G. w. V* l
    OTP工艺太贵了，目前用Poly fuse的多，注意trim电流要大于10mA以上，trim路径上的电阻要够小。
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45#
發表於 2014-3-13 12:48:25 | 只看該作者
感謝各位無私分享, 請問有無efuse SEM照片可分享.謝謝
* \1 f) _$ j+ Y% G3 ]3 d) J' L2 n- q  F2 J9 N3 V' }, |
Laser fuse 可用高倍率顯微鏡看到..但願還沒看過efuse的..
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44#
發表於 2014-3-4 23:41:51 | 只看該作者
e Fuse 就是FT TRIM 方式 因為 PACKAGE 後BANDGAP 電壓會飄 6mv (paper)   所以如BANDGAP RFE 要準到 1MV
! ^8 I9 @* d- l+ w+ Q8 g
. }5 `& e& Q: }; D* t0 T7 Q得如此2 |4 k( Y, u5 Z
. n+ X& e5 C: y" j5 ?+ \( P7 J+ M" K
一般 使用 POLY FUSE 燒有RISK是萬一第一次沒燒斷變高阻抗就燒不了) t$ v+ g% `0 U: u6 }
METAL FUSE 當EFUSE 是可以 但是  VANGUARD 本身有IP  有提到如果 每次READ 都留電流會慢慢燒EFUSE* Z4 ?, a& `9 e* p6 m
# l3 L) R6 c1 a& q+ l: n
一般做法是POWER ON 先READ 後就不再去讀E FUSE 可降低問提/ N* W0 `+ S9 U4 G1 `* d9 c) i# E
還有 FUSE燒 on  off  impedance 要有資料
% z& L  r6 x. d9 b' B& ?/ r8 o, k# K2 ^. n. y; V
VANGUARD 有
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sam7186
43#
發表於 2014-1-10 16:00:16 | 只看該作者
回復 2# finster
  o- ]! I6 G; J) r: R! `' E
5 x, k6 e. f2 Y2 Y1 n
* i' }/ T1 F% k    感謝分享,最近剛接觸收益良多
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42#
發表於 2013-10-6 10:11:52 | 只看該作者
The information of eFuse is useful for me
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41#
發表於 2013-9-11 13:39:27 | 只看該作者
The information of eFuse is useful for me ~~~
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billycsu
40#
發表於 2013-1-24 13:54:04 | 只看該作者
感謝大大提供e-Fuse的資訊，學習到了！
' p( C8 |) ^# N. f% A" z雖然公司也使用了OTP，但royalty貴的很，還是自己做e-Fuse比較實在！
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39#
發表於 2012-8-13 12:44:58 | 只看該作者
補充新知~感謝感謝!!!!!!!!!!!
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talisman
38#
發表於 2012-5-29 19:37:29 | 只看該作者
感謝~找很久了...我最近一直在找相關資料
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rayjay
37#
發表於 2012-3-20 17:31:36 | 只看該作者
Thanks~~~ * q) y3 C  L# Q# o4 b2 {0 X
感謝大大分享心得。3 S+ [  {$ c" R$ b5 O, X0 [
很有用!!
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36#
發表於 2012-2-5 18:17:23 | 只看該作者
正想瞭解efuse，感謝大大分享。
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35#
發表於 2012-2-5 18:16:46 | 只看該作者
正想瞭解efuse，感謝大大分享。
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sslin
34#
發表於 2011-12-12 17:30:27 | 只看該作者
各位大大....謝謝啦....
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jemlin
33#
發表於 2011-12-5 20:42:46 | 只看該作者
eFuse如果也是用燒的，那跟Current Trim的差異點在哪呢？
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qy79
32#
發表於 2011-9-23 09:39:32 | 只看該作者
thanks a lot!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
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