|
諾發系統的工程師開發了一種基於 HCM 先進銅屏障種子製程為TSV所應用,其解決了技術上的挑戰和與傳統方法相關聯的高生產成本。創新的技術是基於物理氣相沉積製程腔體內使用專利的環永磁鐵,而產生強的局部電離子場,其可產生一個增強的離子密度於TSV 結構的側壁上。另外,增加這個區域的離子密度,會讓較分散的濺鍍薄膜沉積在結構的側邊,如此可得到一個更為完好的沉積,此完好的沉積過程消除了圓錐側壁的需要,並允許用於 TSV 應用的沉積膜厚度要比典型 PVD 種子層薄四倍。諾發系統的先進種晶製程可以於垂直側壁鍍 2000 A 厚的銅種晶層,填滿在TSV 60 微米深、10: 1 長寬比的架構下,並達到無孔洞的結果。傳統的物理氣相沉積方法需要一個 8000 A 厚的種晶層來獲得相同結果。相對於傳統的物理氣相沉積方法,4倍薄的TSV種晶層使得系統輸送量大幅增加,並減少大於 50%的耗材成本。
! P: \& [: M) O3 L+ C$ R
# Y% Y2 c7 b8 z( l6 G. `/ U! L諾發系統半導體系統產品執行副總裁Dr. Fusen Chen表示:「對於TSV 三維技術在先進的半導體封裝應用上具有相當的信念,我們深相信其可解決技術和生產效率的挑戰。諾發系統新的先進種晶製程解決了TSV整合上對銅的屏障及種晶兩部分的挑戰,並讓結果都導向一個薄、 高適形薄膜,且滿足具有優秀的物理氣相沉積系統輸送量」。6 J4 N O- F ?# x# @/ R
3 F' Z( J8 T5 a, J7 z4 N0 s0 K
關於諾發系統銅阻障底層物理氣相沉積(PVD)技術: B% f" T* E8 x9 h
對於銅阻障底層之應用,諾發 INOVA NExT PVD系統以專利的中空陰極電磁管(HCM) IONX技術特色,提供高度覆蓋之阻障層與可調變的底層,可延續PVD技術至20奈米及以下。/ T% \" y1 X" Z! H* }/ k" O
* W a" j, t3 z& Y: k" ^1 }關於諾發系統, J k0 q; R& |- x! ~! \ G9 _
諾發系統是全球半導體產業中領先的先進製程工藝設備供應者。該公司產品支持的創新技術及提供信賴生產力為客戶創造價值。是標準普爾500 (S&P 500)強公司之一,諾發系統的總部設在加州聖荷西,其附屬辦事處遍布全球。欲了解更多信息,請瀏覽www.novellus.com。 |
|