想請問那裡查詢的到簡單的反相器設計電路實例

yhchang

一般的人 講的基本閘
/ x+ v% R8 [6 I並不是 AND 跟 OR

% u: n; B: K& |) `8 E1 J" o而是NAND Gate 與 NOR  Gate
+ ^( H" A4 a+ N2 Z" D這兩種電路都是兩個PMOS與 兩個NMOS組成
* S% a/ d' b; x& N  d) W
只是差別在

+ X# `3 A' ~, i. C. x+ k  q6 Y& mNAND gate:  下面兩個NMOS   串聯,  上面兩個PMOS並聯
NOR   gate:    下面兩個NMOS  並聯,  上面兩個PMOS串聯

yhchang

我認為所謂基礎扎實的觀念是
4 `' a( O) Y) z: pLAYOUT除了要會畫不同類型電路的佈局圖之外
也要懂一些基礎觀念
- d) ]: C) B7 s9 ^$ h" |一個是  一個Silicon是怎麼做出 IC的
這就牽扯到  積體電路製程概論
+ v& W6 Y/ e/ r+ p& B3 i另外一個是  一些 Latch-up  ESD 還有基本的MOS 操作區域的觀念
以上這些東西  都可以在任何一本VLSI的課本中 學到

0 `, o2 s& W) H所以把VLSI 積體電路設計概論的課本 讀熟讀通 應該是LAYOUT工程師
的理論基礎吧

yhchang

即使沒有畫出  反相器的 LAYOUT

  F) j' `' y/ k& I+ f也會知道  好的反相器就是  rising/falling 時間 必須要盡量接近
0訊號 通過反相器的delay 與 1訊號通過反相器的delay  的skew也要盡量接近
) Z5 r+ z$ y- L1 M如果反相器用的SIZE大  要怎麼畫 FINGER
5 R, [9 |. K: [7 B2 z; _& }finger 要怎麼擺 會比較能夠抵抗 process variation

- e+ x% u6 @) f! c- K. O其中  如6樓所說     PMOS 與 NMOS在 相同的 Length情況下
PMOS width必定是  NMOS width的兩到三倍

其原因是因為  不管是哪一家的製程
遷移率 (mobility)  NMOS都是PMOS的兩到三倍
所以 PMOS 必須使用兩到三倍的 W/L
" K3 w# K3 d: W# v才能得到  跟NMOS一樣的Idsat
+ o0 M3 Z' a/ I3 I  `4 P( Y
這也反映了 其實LAYOUT也需要懂一點元件物理的觀念
3 j/ z1 f3 F! E這對找工作絕對是加分.