DC/DC converter 的要如何推動 Power MOS?

Yazu

Hi Finster大師:
我想請問一下，若製程變異用5個corner加上各個電壓、溫度等變化，一般你們會完全這樣做嗎? 會不會太保守了，因為例如2.5v(或其它低電流狀況)與溫度125 degree應該不會同時發生，一般會如何取捨而同時能保有"completeness"(就是說這些模擬可以使自已放心)?
thanks

Yazu

Hi Finster,
多謝你的經驗分享，所以的確幾乎是都模擬到了，但這真的是有不易最佳化的問題(面積、效能…)，也就是說，為了確保chip可以work，有許多可行的解都被捨棄了。說的清楚一些，晶圓廠提供model，如果電壓/電流是x變數，溫度是y變數，大家就掃x-y space，將x，y視為獨立變數，但真正的空間或許是x-y space中的一個圓，但因為不知道這個圓如何界定(或許是界定的成本太高)，所以寧可錯殺一百，不可放過一人的策略。無論如何，你的經驗相當寶貴，多謝啦!